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onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L

Le MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L d'onsemi a une tension de rupture drain-source (V(BR)DSS) de 30 V (minimum) et une tension de courant de drain continu (ID) de 3,3 A. Le MOSFET présente une faible résistance RDS(on) de 200 mΩ (maximum) (VGS = 4,5 V, ID = 1,5 A) pour minimiser les pertes de conduction. Il présente également une faible capacité d'entrée (CISS) de 89 pF. Le dispositif est livré avec une grille à protection DES et un flanc mouillable. Le NVNJWS200N031L d'onsemi est conforme à la norme AEC-Q101 et compatible PAP.

Caractéristiques

  • Faible RDS(on) et faible seuil de grille
  • Faible capacité d'entrée
  • Grille protégée contre les DES
  • Flanc mouillable pour une inspection optique améliorée
  • Qualifié AEC-Q101 et compatible PHPP
  • Sans plomb

Applications

  • Commutateurs de charge côté bas
  • Convertisseurs CC-CC (circuits Buck et Boost)

Caractéristiques techniques

  • Tension de drain à source (VDSS) de 30 V
  • Tension de grille à source (VGS) de ±8 V
  • Courant de drain continu (ID) de 2,2 A (à +25 °C), 1,5 A à +100 °C
  • Dissipation d'énergie (PD) de 1,8 W (à +25 °C), 0,9 W à +100 °C
  • Courant de drain en mode pulsé (IDM) (tp = 10 µs) de 25 A
  • Plage de température de fonctionnement de jonction/de stockage (TJ, Tstg) de -55 °C à +175 °C
  • Température des fils de +260 °C pour le soudage (TL)
  • Résistance drain-source à l'état passant [RDS(on)] standard
    • 153 mΩ (standard) à VGS = 4,5 V, ID = 1,5 A
    • 185 mΩ (standard) à VGS = 3 V, ID = 0,5 A

Schéma de circuit

Schéma - onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L
Publié le: 2025-10-01 | Mis à jour le: 2025-10-14