onsemi Module hybride Si/SiC NXH600B100H4Q2F2SG
Le module hybride Si/SiC NXH600B100H4Q2F2SG onsemi est un module Boost symétrique à trois canaux. Chaque canal contient deux IGBT 1 000 V, 200 A et deux diodes SiC 1 200 V, 60 A. Le module contient également une thermistance NTC. Les applications comprennent les onduleurs solaires et les systèmes d’alimentation sans interruption.Caractéristiques
- Tranchée extrêmement efficace grâce à la technologie d'arrêt de champ
- La faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système
- La conception du module garantit une densité de puissance élevée
- Configuration à faible induction
- Faible hauteur de boîtier
- Sans plomb, sans halogène/sans RFB et conforme à la directive RoHS
Applications
- Onduleurs solaires
- Systèmes d’alimentation sans interruption
- Étages Boost MPPT
Caractéristiques techniques
- IGBT (T11, T21, T12, T22, T13, T23)
- Tension collecteur-émetteur maximale 1 000 V
- Tension grille-émetteur maximale ±20 V
- Tension grille-émetteur transitoire positive maximale 30 V
- Courant collecteur continu maximal 192 A
- Courant collecteur de crête pulsé maximal 576 A
- Dde puissance maximale 511 W
- Diode inverse IGBT (D11, D21, D12, D22, D13, D23)
- Tension inverse répétitive de crête maximale 1 200 V
- Courant direct continu maximal 66 A
- Courant direct de crête répétitif maximal 198 A
- Dissipation de puissance maximale 101 W
- Diode SCHOTTKY au carbure de silicium (D31, D41, D32, D42, D33, D43)
- Tension inverse répétitive de crête maximale 1 200 V
- Courant direct continu maximal 73 A
- Courant direct de crête répétitif maximal 219 A
- Dissipation de puissance maximale 217 A
- Distance de fuite maximale 12,7 mm
- Plages de température
- Jonction de -40 °C à +175 °C
- Fonctionnement -40 °C à +150 °C en conditions de commutation
Schéma
Publié le: 2024-01-30
| Mis à jour le: 2024-08-08
