onsemi Module hybride Si/SiC NXH600B100H4Q2F2SG

Le module hybride Si/SiC NXH600B100H4Q2F2SG  onsemi est un module Boost symétrique à trois canaux. Chaque canal contient deux IGBT 1 000 V, 200 A et deux diodes SiC 1 200 V, 60 A. Le module contient également une thermistance NTC. Les applications comprennent les onduleurs solaires et les systèmes d’alimentation sans interruption.

Caractéristiques

  • Tranchée extrêmement efficace grâce à la technologie d'arrêt de champ
  • La faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système
  • La conception du module garantit une densité de puissance élevée
  • Configuration à faible induction
  • Faible hauteur de boîtier
  • Sans plomb, sans halogène/sans RFB et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Onduleurs solaires
  • Systèmes d’alimentation sans interruption
  • Étages Boost MPPT

Caractéristiques techniques

  • IGBT (T11, T21, T12, T22, T13, T23)
    • Tension collecteur-émetteur maximale 1 000 V
    • Tension grille-émetteur maximale ±20 V
    • Tension grille-émetteur transitoire positive maximale 30 V
    • Courant collecteur continu maximal 192 A
    • Courant collecteur de crête pulsé maximal 576 A
    • Dde puissance maximale 511 W
  • Diode inverse IGBT (D11, D21, D12, D22, D13, D23)
    • Tension inverse répétitive de crête maximale 1 200 V
    • Courant direct continu maximal 66 A
    • Courant direct de crête répétitif maximal 198 A
    • Dissipation de puissance maximale 101 W
  • Diode SCHOTTKY au carbure de silicium (D31, D41, D32, D42, D33, D43)
    • Tension inverse répétitive de crête maximale 1 200 V
    • Courant direct continu maximal 73 A
    • Courant direct de crête répétitif maximal 219 A
    • Dissipation de puissance maximale 217 A
  • Distance de fuite maximale 12,7 mm
  • Plages de température
    • Jonction de -40 °C à +175 °C
    • Fonctionnement -40 °C à +150 °C en conditions de commutation

Schéma

Schéma - onsemi Module hybride Si/SiC NXH600B100H4Q2F2SG
Publié le: 2024-01-30 | Mis à jour le: 2024-08-08