Retour à onsemi

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NxJS3151P

Les MOSFET de puissance monocanal P NxJS3151P d'onsemi sont des MOSFET haute performance conçus pour des applications de commutation efficaces. Logés dans un boîtier compact SC-88 (SOT-363) de 2 mm x 2 mm, ces MOSFET d'onsemi offrent un faible RDS(on) de seulement 45 mΩ à -4,5 V, ce qui permet de réduire les pertes de conduction et d'améliorer les performances thermiques. Avec un drain courant maximum de -3,3 A et une tension nominale drain-source de -12 V, les dispositifs NxJS3151P sont bien adaptés pour la commutation de charge dans les appareils portables et alimentés par batterie. Leur charge de grille ultra-faible et leur commutation rapide permettent d'obtenir une efficacité énergétique améliorée, ce qui rend les MOSFET de puissance monocanal P NxJS3151P d'onsemi idéaux pour les conceptions à espace restreint où la densité de puissance et la fiabilité sont essentielles.

Caractéristiques

  • Technologie de tranchée de pointe pour un faible RDS(ON) prolongeant la vie de la batterie
  • Boîtier SC-88 de petite taille (2 mm x 2 mm, équivalent SC70-6)
  • Diodes de grille pour la protection DES
  • Préfixe NV pour les applications automobiles et d'autres applications nécessitant des exigences uniques de modification de site et de contrôle ; homologuées AEC-Q101 et compatibles PHPP
  • Sans plomb, sans halogène/sans RFB et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Commutateurs de charge côté haut
  • Téléphones portables, ordinateurs, appareils photo numériques, MP3 et PDA

Caractéristiques techniques

  • Caractéristiques d'arrêt
    • Tension de rupture minimale drain-source : -12 V
    • Coefficient de température de la tension de rupture drain-source standard de 10 mV/°C
    • Courants de drain de tension de grille nul
      • -1,0 µA maximum à +25 °C
      • -2,5 µA standard à +125 °C
    • Courants de fuite grille-source
      • ±1,5 µA maximum à ±4,5 VGS
      • ±10 mA maximum à ±12 VGS
  • Caractéristiques d'activation
    • Plage de tension de seuil de grille de -0,40 V à -1,2 V
    • Coefficient de température seuil négatif standard : 3,4 mV/°C
    • Plage de résistance à l'état passant du drain-source de 60 mΩ à 160 mΩ maximum
    • Transconductance directe standard de 15 S
  • Charges et capacités
    • Capacité d'entrée standard : 850 pF
    • Capacité de sortie standard : 170 pF
    • Capacité de transfert inverse standard : 110 pF
    • Charge de grille totale standard : 8,6 nC
    • Charge grille-source standard : 1,3 nC
    • Charge grille-drain standard : 2,2 nC
    • Résistance de grille standard : 3 000 Ω
  • Caractéristiques de commutation
    • Délai de passage à la fermeture standard : 0,86 µs
    • Temps de montée standard : 1,5 µs
    • Délai de passage à l'ouverture standard : 3,5 µs
    • Temps de descente typique : 3,9 µs
  • Plage standard RDS(on) de 45 mΩ (à -4,5 V) à 133 mΩ (à -1,8 V)
  • Tension maximale grille-source : ±12 V
  • Plage de courant de drain continu maximale de -2,7 A à -3,3 A
  • Dissipation de puissance maximale : 0,625 W
  • Plage de tension directe diode standard :-0,7 V à -0,85 V
  • Courant de source diode de corps maximal : -0,8 A
  • Résistance thermique maximum
    • 200 °C/W : jonction-température ambiante à l'état stable
    • 141 °C/W : jonction-température ambiante
    • 102 °C/W : jonction vers fil à l'état stable
  • Températures
    • Plage de température de fonctionnement de jonction : -55 °C à +150 °C
    • Température maximale de soudage des fils : +260 °C

Schéma

Schéma - onsemi MOSFET de puissance monocanal P NxJS3151P
Publié le: 2025-08-29 | Mis à jour le: 2025-09-04