onsemi Module MOSFET NXV08H300DT1
Le module MOSFET NXV08H300DT1 d'onsemi est un module MOSFET de puissance automobile 80 V à double demi-pont avec détection de température pour les applications automobiles hybrides légères 48 V. Ce module MOSFET de puissance biphasé est électriquement isolé avec un substrat de cuivre à liaison directe (DBC) pour une faible Rthjc. Le module NXV08H300DT1 est compact pour une faible résistance totale du module et sa conception système petite, efficace et fiable réduit la consommation de carburant du véhicule et les émissions de CO2. Les composants à l’intérieur du module sont homologués AEC-Q101 (MOSFET) et AEC-Q200 (composants passifs). Le module MOSFET de puissance NXV08H300DT1 est idéal pour les applications d’onduleur 48 V et de traction 48 V.
Caractéristiques
- Module MOSFET biphasé (côté client, ce module peut être utilisé comme module MOSFET demi-pont en combinant les bornes d'alimentation de sortie biphasées)
- Substrat DBC électriquement isolé pour Rthjc faible
- Conception compacte pour une faible résistance totale du module
- Assemblage de véhicule simplifié
- Faible résistance thermique
- Faible inductance
- Tension drain-source de 80 V (VDS)
- Sérialisation du module pour une traçabilité complète
- Homologué AQG324 de niveau Module :
- Les composants à l’intérieur sont homologués AEC-Q101 (MOSFET) et AEC-Q200 (passifs)
- Conforme UL 94V-0
- Sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Onduleur 48 V
- Traction 48 V
Schéma fonctionnel
Dimensions du boîtier
Publié le: 2024-02-21
| Mis à jour le: 2024-07-15