onsemi MOSFET de puissance monocanal N
Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont conçus pour des conceptions compactes et efficaces avec un encombrement réduit. Ces MOSFET de puissance disposent d’une basse RDS(ON), d’une QG et d’une capacité faibles, qui réduisent au minimum les pertes en conduction et du pilote. Ces MOSFET sont disponibles en tensions drain-source de 40, 60 et 80 V et en tension grille-source ±20 V. Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont sans plomb et conformes à la directive RoHS.Caractéristiques
- Faible encombrement (5 mm x 6 mm) pour un design compact
- RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction
- QG et capacité faibles, pour limiter les pertes de pilotes
- Boîtier LFPAK4, norme industrielle
- Sans plomb
- Conforme RoHS
Caractéristiques techniques
- Tension 40 V de claquage drain-source, 60 V ou 80 V
- Courant de drain continu de 14 A à 253 A
- Résistance drain-source en marche de 1,43 mΩ à 67 mΩ
- Tension 2 V de seuil grille-source à 4 V
- Dissipation de puissance 23 W à 194 W
- Température de fonctionnement maximale jusqu’à +175 °C
Schéma fonctionnel simplifié
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Description |
|---|---|---|
| NTMFS4D7N04XMT1G | ![]() |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NTTFSSCH0D7N02X | ![]() |
MOSFET T10 25V PC33 SOURCE DOWN |
| NTTFSSH1D3N04XL | ![]() |
MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2 |
| NVMFWS1D3N04XMT1G | ![]() |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NVMFWS0D63N04XMT1G | ![]() |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NTTFS1D4N04XMTAG | ![]() |
MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE |
| NTTFS4D9N04XMTAG | ![]() |
MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE |
| NVMFWS004N04XMT1G | ![]() |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NVMFWS0D6N04XMT1G | ![]() |
MOSFET 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE |
| NVMFWS1D1N04XMT1G | ![]() |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
Publié le: 2023-12-20
| Mis à jour le: 2025-10-30

