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onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10

Les MOSFET basse/moyenne tension T10 d'onsemi sont desMOSFET de puissance monocanal N dans les catégories 40 V et 80 V avec des performances améliorées, une plus grande efficacité du système et une haute densité de puissance. Ces MOSFET de puissance présentent une faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction et une faible capacité pour minimiser les pertes du pilote. Les MOSFET basse/moyenne tension T10 offrent un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS et sont sans Pb et sans halogène/sans BFR. Les applications typiques incluent le redressement synchrone (SR) dans les convertisseurs CC-CC et CA-CC, le commutateur principal dans un convertisseur CC-CC isolé, la protection de batterie et les entraînements à moteur.

Caractéristiques

  • RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction
  • Faible capacité pour minimiser les pertes du pilote
  • QRR faible, diode de corps à récupération progressive
  • Tension de drain à source de 40 V et 80 V
  • Plage de température de jonction en fonctionnement et de stockage de -55 °C à 175 °C
  • Température du plomb de 260 °C pour le soudage
  • Sans Pb et sans halogène/sans BFR
  • Conformes à la directive RoHS

Applications

  • Redressement synchrone (SR) en CC−CC et CA−CC
  • Commutateur primaire dans un convertisseur CC−CC isolé
  • Protection de la batterie
  • Entraînements à moteur

MOSFET canal N

onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10

MOSFET associés

onsemi MOSFET de puissance 40 V

Intègre une technologie standard au niveau de la grille et offre la meilleure résistance de sa catégorie à l’état passant.

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Ressources supplémentaires

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Numéro de pièce Fiche technique Temps de descente Transconductance directe - min. Id - Courant continu de fuite Pd - Dissipation d’énergie Qg - Charge de grille Rds On - Résistance drain-source Temps de montée Délai de désactivation type Délai d'activation standard Vds - Tension de rupture drain-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Vgs - Tension grille-source Conditionnement Package/Boîte RoHS - Mouser
NTMFS1D7N04XMT1G NTMFS1D7N04XMT1G Fiche technique 17 ns 77 S 154 A 75 W 29 nC 1.65 mOhms 13 ns 10 ns 7 ns 40 V 3.5 V 20 V Reel DFN-5 Y
NTTFS5D6N08XLTAG NTTFS5D6N08XLTAG Fiche technique 3 ns 113 S 79 A 82 W 14 nC 5.3 mOhms 3 ns 24 ns 10 ns 80 V 2.1 V 20 V Reel WSFN-8 Y
NTBLS1D1N08XTXG NTBLS1D1N08XTXG Fiche technique 152 ns 294 S 299 A 197 W 120 nC 1.1 mOhms 118 ns 40 ns 22 ns 80 V 3.6 V 20 V Reel H-PSOF-8L Y
NTMFS4D0N04XMT1G NTMFS4D0N04XMT1G Fiche technique 9 ns 32 S 80 A 43 W 12 nC 3.9 mOhms 8 ns 10 ns 7 ns 40 V 3.5 V 20 V Reel DFN-5 Y
NTMFS4D5N08XT1G NTMFS4D5N08XT1G Fiche technique 30 ns 61 S 94 A 82 W 15 nC 4.5 mOhms 24 ns 16 ns 11 ns 80 V 3.6 V 20 V Reel DFN-5 Y
NTMFS6D2N08XT1G NTMFS6D2N08XT1G Fiche technique 24 ns 48 S 73 A 68 W 19 nC 6.2 mOhms 19 ns 15 ns 10 ns 80 V 3.6 V 20 V Reel DFN-5 Y
Publié le: 2025-09-29 | Mis à jour le: 2025-10-06