onsemi Émetteur-récepteur à double alimentation T30LMXT3V4T245

L'émetteur-récepteur à double alimentation T30LMXT3V4T245 d'onsemi est un émetteur-récepteur bidirectionnel à double alimentation, servant à la conversion, configurable, 4 bits et haut débit. Il est conçu pour permettre une conversion de niveau de tension fiable entre les interfaces numériques fonctionnant à différentes tensions d'alimentation. Le dispositif intègre des ports A et B indépendants, alimentés par des rails d'alimentation séparés (VCCA et VCCB) qui peuvent chacun être réglés librement de 0,9 V à 3,6 V, ce qui permet une conversion bidirectionnelle fluide sur une large gamme de niveaux logiques basse tension.

En interne, l'émetteur-récepteur T30LMXT3V4T245 d'onsemi est organisé en deux groupes indépendants 2 bits, chacun avec ses propres contrôles de direction (DIR) et sortie d’activation (OE) permettant une gestion flexible du flux de données et une exploitation à 3 états sur une base par groupe. Le contrôle de direction détermine si les données circulent de A vers B ou de B vers A, tandis que les broches OE placent les deux ports d’un groupe en haute impédance lorsqu’ils sont désactivés, prenant en charge le partage et l’isolation du bus.

Le T30LMXT3V4T245 prend en charge l’exploitation à haute vitesse avec un retard de propagation équilibré, atteignant des débits de données de 400 Mbit/s pour des conversions de tension plus élevées. Il fournit aussi une impulsion de sortie équilibrée atteignant ±24 mA à 3,0 V pour une intégrité de signal solide. Les fonctionnalités de robustesse supplémentaires incluent le séquencement non préférentiel de l’alimentation, la protection contre l’extinction partielle de l’alimentation et des sorties qui sont par défaut en état 3 jusqu’à ce que des niveaux d’alimentation valides soient présents, ce qui aide à prévenir l’alimentation inverse et la contention du bus lors des transitions d’alimentation. Logé dans un boîtier sans plomb compact (1,8 mm × 2,6 mm) UQFN16, le T30LMXT3V4T245 est bien adapté aux conceptions à espace limité tels que les dispositifs mobiles, l'électronique portable et les systèmes automobiles qui nécessitent des conversions de tension d'alimentation doubles rapides, flexibles et fiables.

Caractéristiques

  • Large plage de fonctionnement de 0,9 V à 3,6 V pour VCCA et VCCB
  • Sortie équilibrée de ±24 mA à 3,0 V
  • Haute vitesse avec retard de propagation équilibré, de 2,3 ns maximum de 3,0 V à 3,6 V
  • Broches d’entrée OVT à 3,6 V
  • Séquence non préférentielle VCC
  • Sorties en 3 états jusqu’à ce que le VCC actif soit atteint
  • Protection partielle de l’arrêt
  • Les sorties commutent sur 3 états lorsque VCC est à GND.
  • Débits de données standard maximum
    • 400 Mbit/s (conversion ≥1,8 V à 3,3 V)
    • 200 Mbps (conversion ≥ 1,1 V à [1,8 V, 2,5 V, 3,3 V])
    • 150 Mbps (conversion de ≥1,1 V à 1,5 V)
    • 100 Mbit/s (conversion ≥1,1 V à 1,2 V)
  • Petit boîtier UQFN16 de 1,8 mm x 2,6 mm
  • Sans plomb et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Téléphones portables, assistants numériques personnels (PDA) et autres dispositifs portables
  • Automobile

Caractéristiques techniques

  • Plage de tension d'alimentation CC positive de fonctionnement de 0,9 V à 3,6 V
  • Courant maximal de la diode d'entrée/sortie CC de -50 mA
  • Courant de sortie CC maximal source/dissipateur de ±50 mA
  • Courant d'alimentation CC maximum de ±100 mA par broche d'alimentation
  • Courant à la terre CC maximum de ±100 mA par broche de mise à la terre
  • Puissance dissipable admissible de 875 mW en air immobile
  • Résistance thermique maximale 142 °C/W
  • Performance de verrouillage maximale de ±100 mA au-dessus du VCC et en dessous du GND à +25 °C
  • Plage de montée/descente de la transition d'entrée de 0 nS/V à 5 nS/V
  • Capacité d'entrée de la broche de contrôle standard de 2,5 pF
  • Capacité d'entrée de la broche E/S standard de 5,0 pF
  • Plage de capacité de dissipation d'énergie de 0,4 pF à 12 pF
  • Plage de température de fonctionnement de -40 °C à +125 °C
  • Température de jonction maximale de +150 °C sous polarisation
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1
  • Indice d'inflammabilité UL 94V-0 à 0,125"
  • Tension de tenue maximale DES
    • 2 kV HBM (Modèle de corps humain)
    • 1 kV modèle de dispositif chargé (CDM)

Schémas de logique

Schéma - onsemi Émetteur-récepteur à double alimentation T30LMXT3V4T245
Publié le: 2026-03-18 | Mis à jour le: 2026-03-25