Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU
Le commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU de Renesas Electronics est un BDS à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT. Ce BDS conduit le courant et bloque la tension dans les deux directions, en combinant un GaN à haute tension à mode appauvrissement avec des MOSFET en silicium à faible tension normalement désactivés. Le BDS TP65B110HRU est basé sur la plateforme bidirectionnelle SuperGaN® Gen 1. Ce BDS offre des performances supérieures, une compatibilité standard avec les commandes de grille, une intégration facile et une fiabilité robuste. Le BDS TP65B110HRU offre une intégration révolutionnaire, ce qui se traduit par un nombre réduit de composants, un coût inférieur et une empreinte plus petite. Ce BDS permet une commutation ultra-rapide, un rendement élevé et une densité de puissance supérieure ; il est idéal pour un fonctionnement à des fréquences MHz et pour les composants magnétiques compacts. Applications typiques : onduleurs solaires, infrastructures d’IA, chargeurs embarqués (OBC), entraînements à moteur et architectures de conversion de puissance à un seul étage CA/CC et CC/CC.
Caractéristiques
- Haute immunité au bruit, facile à utiliser et compatible avec les pilotes standard en silicium, sans nécessiter de tension négative
- Performances robustes et fiables dans les applications de commutation douce et dure à haute vitesse grâce à une immunité élevée au dv/dt
- Diode roue libre intégrée avec la plus faible perte de conduction inverse, améliorant le rendement global de conversion de puissance
- Permet des topologies CA/CC à un seul étage, éliminant les condensateurs électrolytiques encombrants, réduisant la taille, le poids et le coût du système
Applications
- Onduleurs solaires
- Infrastructure IA
- OBC automobile (chargeur embarqué)
- Entraînements à moteur
- Architectures de conversion de puissance CA/CC et CC/CC à un seul étage
Caractéristiques techniques
- Résistance à l’état passant standard de 110 mΩ Rss(on)
- Tension de seuil de grille Vgs,th de 3 V
- Tension nominale grille-source max de ±12 V Vgs,max
- Immunité dv/dt >100 V/ns
- Tension en polarisation inverse de 1,8 VSS,R
- Valeur transitoire de ±800 V
- Protection ESD de 2 kV HBM
Exemple d’application (micro-onduleur solaire)
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Renesas Electronics Kit d'évaluation RTDACHB0000RS-MF-1
Prend en charge une expérimentation flexible avec la modulation et le fonctionnement GaN BDS.
Publié le: 2026-03-16
| Mis à jour le: 2026-03-20