Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU
Le commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU de Renesas Electronics est un BDS à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT. Ce BDS conduit le courant et bloque la tension dans les deux directions, en combinant un GaN à haute tension à mode appauvrissement avec des MOSFET en silicium à faible tension normalement désactivés. Le BDS TP65B110HRU est basé sur la plateforme bidirectionnelle SuperGaN® Gen 1. Ce BDS offre des performances supérieures, une compatibilité standard avec les commandes de grille, une intégration facile et une fiabilité robuste. Le BDS TP65B110HRU offre une intégration révolutionnaire, ce qui se traduit par un nombre réduit de composants, un coût inférieur et une empreinte plus petite. Ce commutateur à semi-conducteurs bidirectionnel permet une commutation ultra-rapide, une haute efficacité et une densité de puissance supérieure, et est idéal pour une exploitation de classe MHz et des composants magnétiques compacts. Les applications typiques incluent les convertisseurs PV, les chargeurs de batteries, les centres de données d’IA et les alimentations électriques de télécommunications, les entraînements à moteur et les ASI.
Caractéristiques
- Commutation ultra-rapide pour des convertisseurs haute efficacité et haute densité de puissance
- Empreinte et coût réduits par rapport aux commutateurs unidirectionnels en configuration back-to-back
- Fiable dans la plus large plage de conditions de fonctionnement, y compris CA et CC
- Grille isolée avec seuil haut
- Diode roue libre intégrée avec chute basse tension
- Charge de récupération inverse négligeable
- Charge de grille faible (Qg) et charge de sortie faible (Qoss)
- Immunité dv/dt élevée
- Capacité de commutation douce et dure
- Capacité de surtension transitoire
- Capacité de polarisation CC
- Capacité DES 2 kV (HBM et CDM)
- Qualifié JEDEC
- Emballage conforme à la directive RoHS et sans halogène
Applications
- Convertisseurs PV
- Chargeurs de batteries
- Entraînements à moteur
- Alimentations électriques de télécommunications et centres de données IA
- Onduleurs (ASI)
Caractéristiques techniques
- Tension CA continue à l'état bloqué VSS(CA) de 650 Vpk entre S1 et S2 (TJ = -55 °C à 150 °C)
- Tension CC continue à l'état bloqué VSS(CC) de ±650 V entre S1 et S2 (TJ = -55 °C à 150 °C)
- Tension transitoire à l'état bloqué VSS(TR) de ±800 V entre S1 et S2 (événements <10 µs, 60 s="" en="">
- Tension grille-source continue VGS,max de ±12 V
- Tension grille-source transitoire VGS,max de ±20 V
- Puissance dissipable admissible PD maximale de 156 W à TC = 25 °C
- Température de stockage de -55 °C à 150 °C
- Tension de seuil de grille VGS(th) standard de 3 V
Caractéristiques de sortie standard
Exemple d’application (convertisseur solaire micro)
Kit associé
Renesas Electronics Kit d'évaluation RTDACHB0000RS-MF-1
Prend en charge l'expérimentation flexible avec la modulation et l'exploitation du BDS GaN.
Publié le: 2026-03-16
| Mis à jour le: 2026-03-27