ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC AEC-Q101

Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les alimentations électriques automobiles et à découpage. Les MOSFET de puissance SiC peuvent être utilisés pour augmenter la fréquence de commutation, diminuant les volumes de condensateurs, de réacteurs et d'autres composants requis. Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 offrent d'excellentes réductions de taille et de poids au sein de divers systèmes d'entraînement, tels que les onduleurs et les convertisseurs CC-CC dans les véhicules.

Les batteries automobiles augmentent de plus en plus leur capacité et les temps de charge sont de plus en plus courts. Cela nécessite des chargeurs embarqués de grande puissance et de grande efficacité, tels que des chargeurs 11 kW et 22 kW. Cela conduit à une adoption accrue des MOSFET SiC. Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 répondent aux besoins des véhicules électroniques les plus récents et utilisent une structure de grille en tranchée. La conception future des MOSFET SiC de ROHM s'efforce d'améliorer encore la qualité, de renforcer sa gamme pour augmenter les performances des dispositifs, réduire la consommation d'énergie et atteindre une plus grande miniaturisation.

Les MOSFET homologués AEC-Q101 fournissent également une plage de résistance à l'état passant de 17 mΩ à 120 mΩ (std) pour la tension drain-source 650 V et de 22 mΩ à 160 mΩ (std) pour la tension drain-source 1 200 V. De plus, ces dispositifs sont dotés d'une température de jonction pouvant atteindre 175 °C, avec un type de boîtier TO-247N disponible.