ROHM Semiconductor CI détecteur de tension (réinitialisation) CMOS BD5230G-1TR

Le CI détecteur de tension (réinitialisation) CMOS BD5230G-1TR de ROHM Semiconductor offre une haute précision, une consommation de courant ultra-faible et une conception légère.  Les paramètres de délai pour ce CI de détection de tension peuvent être ajustés à l’aide d’un condensateur externe. Le CI BD5230G-1TR est disponible pour une plage de tension de détection spécifique de 0,9 V à 5 V et est réglable par incréments de 0,1 V. Le délai de temporisation maintient une précision de ±30 % sur l’ensemble de la plage de température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C. Ce CI de détection de tension de sortie à drain ouvert à canal N est fourni dans un boîtier SSOP5 et mesure 2,90 mm x 2,80 mm x 1,25 mm. Les applications standard comprennent les dispositifs grand public qui nécessitent une détection de tension.

Caractéristiques

  • Nano Energy™
  • Réglage du délai contrôlé par un condensateur externe
  • Type de sortie à drain ouvert à canal N
  • Très petit et léger

Caractéristiques techniques

  • Plage de tension de détection de 0,9 V à 5 V standard (incrément 0,1 V)
  • Consommation de courant ultra-faible standard de 270 nA
  • Boîtier SSOP5 2,90 mm x 2,80 mm x 1,25 mm
  • Précision du délai de temporisation de ±30 % (de -40 à 85 °C, condensateur à broches CT ≥ 1 nF)

Applications

  • Tous les appareils grand public nécessitant une détection de tension

Schéma fonctionnel

Schéma de principe - ROHM Semiconductor CI détecteur de tension (réinitialisation) CMOS BD5230G-1TR

Circuit d'application standard

Schéma du circuit d'application - ROHM Semiconductor CI détecteur de tension (réinitialisation) CMOS BD5230G-1TR

Dimensions physiques

Plan mécanique - ROHM Semiconductor CI détecteur de tension (réinitialisation) CMOS BD5230G-1TR
Publié le: 2024-07-16 | Mis à jour le: 2024-08-26