ROHM Semiconductor MOSFET à petit signal HZG BSS84X
Le MOSFET à signal faible HZG BSS84X de ROHM Semiconductor est proposé dans un boîtier ultra-compact sans plomb avec une pastille de drain exposée pour une excellente conduction thermique. Le MOSFET à signal faible BSS84X HZG dispose d’une tension drain-source -60 V, d’un courant de drain continu ±230 mA et d’une dissipation de puissance 1,0 W. Le HZG BSS84X est conçu pour les circuits de commutation, les commutateurs de charge côté haut et les applications de pilote de relais.
Le MOSFET à signal faible BSS84X HZG de ROHM est disponible en boîtier DFN1010-3W et est homologué AEC-Q101.
Caractéristiques
- Pastille de drain ultra-compacte et exposée sans plomb pour une excellente conduction thermique, boîtier plastique CMS (1,0 mm x 1,0 mm x 0,4 mm)
- Flancs mouillables latéraux pour une inspection optique automatisée (AOI) de la brasure
- Pastilles latérales à braser 100 % étamées garantissent 125 μm min.
- Homologué AEC-Q101
- Pilote -4,5 V
Applications
- Circuits de commutation
- Commutateurs de charge côté haut
- Pilotes de relais
Caractéristiques techniques
- Tension source drain -60 V
- Résistance à l’état passant de source de drain statique max. 5,3 Ω
- Courant de drain continu ±230 mA
- Dissipation de puissance 1,0 W
Circuit d'application standard
Solution associée
ROHM Semiconductor Automotive Solutions
Deliver optimized solutions for the automotive industry along with evolving technologies.
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MOSFET à petit signal, canal P, -60 V, -0,21 A disposant de la technologie MOSFET à tranchée.
Publié le: 2020-11-09
| Mis à jour le: 2024-10-23