ROHM Semiconductor Commutateurs haute tension automobile BV1HBx

Les commutateurs côté haut automobile BV1HBx   ROHM Semiconductor intègrent une protection de charge contre les surintensités et un mécanisme d’arrêt à double température. Cela limite les transitoires thermiques internes et réduit la contrainte mécanique des circuits intégrés. Les commutateurs BV1HBx offrent une tension de fonctionnement (démarrage) basse de 4 V et un circuit de verrouillage actif intelligent pour dissiper l’énergie magnétique lors de la coupure des charges inductives. Ces commutateurs intègrent également des fonctions de détection de courant et de diagnostic. Ils fournissent des informations sur le courant de charge en temps réel et des commentaires sur les circuits ouverts ou court-circuit aussi bien à l’état ON qu’à l’état OFF. Une broche d’entrée compatible CMOS 3 V et 5 V offre une connexion directe au microcontrôleur sans interfaces spéciales ni décalage de niveau. Les commutateurs haute tension BV1HBx fonctionnent dans une plage de température de -40 °C à 150 °C. Les applications typiques incluent les pilotes pour charges résistives, inductives et capacitif, le remplacement des MOSFET, des relais et des fusibles ainsi que les dispositifs d’alimentation intelligents.

Caractéristiques

  • Qualification AEC-Q100
  • Protection de chargement contre le court-circuit
  • Limitation de surintensité
  • Verrouillage actif et protection contre les surtensions
  • Arrêt thermique double
  • Verrouillage en sous-tension
  • Circuit de détection de courant intégré
  • Perte de protection de mise à la terre
  • Diagnostic de charge ouverte et de court-circuit à la batterie

Caractéristiques techniques

  • Plage de tension nominale d’alimentation de 6 V à 28 V
  • Tension d’exploitation basse (démarrage) de 4 V
  • Protection contre les surtensions 41 V
  • Courant de veille de 0,5 µA
  • Résistance ON :
    • 9 mΩ (BV1HB008EFJ-C)
    • 12 mΩ (BV1HB012EFJ-C)
    • 20 mΩ (BV1HB020EFJ-C)
    • 40 mΩ (BV1HB040EFJ-C)
    • 90 mΩ (BV1HB090EFJ-C)
    • 180 mΩ (BV1HB180EFJ-C)
  • Limite de surintensité
    • 66 A (BV1HB008EFJ-C)
    • 56 A (BV1HB012EFJ-C)
    • 51 A (BV1HB020EFJ-C)
    • 30 A (BV1HB040EFJ-C)
    • 15 A (BV1HB090EFJ-C)
    • 7,5 A (BV1HB180EFJ-C)
  • Courant de fonctionnement:
    • 3,5 mA (BV1HB008EFJ-C et BV1HB012EFJ-C)
    • 3 mA (BV1HB020EFJ-C et BV1HB040EFJ-C)
    • 2,7 mA (BV1HB090EFJ-C)
    • 2,4 mA (BV1HB180EFJ-C)
  • Plage de température de jonction de -40 °C à 150 °C

Applications

  • Pilote pour charges résistives, inductives et capacitives
  • Remplacement du MOSFET, du relais et du fusible
  • Dispositif d’alimentation intelligent pour automobile 12 V
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Numéro de pièce Fiche technique Durée de l'état passant maximale Durée de l'état bloqué maximale Résistance à l'état passant maximale Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max.
BV1HB008EFJ-CE2 BV1HB008EFJ-CE2 Fiche technique 150 us 100 us 22 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB020EFJ-CE2 BV1HB020EFJ-CE2 Fiche technique 150 us 100 us 44 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB180EFJ-CE2 BV1HB180EFJ-CE2 Fiche technique 100 us 100 us 360 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB012EFJ-CE2 BV1HB012EFJ-CE2 Fiche technique 150 us 100 us 35 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB090EFJ-CE2 BV1HB090EFJ-CE2 Fiche technique 100 us 100 us 180 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB040EFJ-CE2 BV1HB040EFJ-CE2 Fiche technique 100 us 100 us 90 mOhms - 40 C + 150 C
Publié le: 2025-07-22 | Mis à jour le: 2025-08-19