ROHM Semiconductor EEPROM de bus I²C 125 °C pour l’automobile à 2 fils
Les EEPROM de bus I2C 125 °C de ROHM Semiconductor sont conçues pour l'automobile à 2 fils et sont homologuées AEC-Q100. Les EEPROM de bus I2C ROHM disposent de deux ports d'horloge série (SCL) et de données série (SDA) par lesquels toutes les commandes sont disponibles. Les EEPROM fonctionnent à partir d’une large limite de 1,7 V à 5,5 V, avec un fonctionnement 1 MHz possible.
Les EEPROM de bus I2C offrent une faible consommation de courant, un mode d'écriture de page de 32 octets/64 octets et un format bit de 8 k x 8 bits / 16 k x 8 bits. Les EEPROM de bus I2C 125 °C sont disponibles en boîtiers SOP8, SOP-J8, TSSOP-B8, MSOP8 et VSON008X2030 avec une température de fonctionnement ambiante de -40 °C à +125 °C.
Caractéristiques
- Homologué AEC-Q100
- Toutes les commandes sont disponibles avec 2 ports d'horloge série (SCL) et de données série (SDA)
- Large limite de tension de fonctionnement de 1,7 V à 5,5 V, fonctionnement possible de 1 MHz
- Mode écriture de page 32 octets/64 octets
- Format de bits 8 k x 8 bits / 16 k x 8 bits
- Faible consommation électrique
- Prévention des erreurs d’écriture
- Fonction WP (protection en écriture) ajoutée
- Prévention des erreurs d'écriture à basse tension
- Filtre de bruit intégré dans la broche SCL/SDA
- État de livraison initiale FFh
- Boîtiers
- SOP8 de 5,0 mm x 6,2 mm x 1,71 mm
- SOP-J8 de 4,9 mm x 6,0 mm x 1,65 mm
- TSSOP-B8 de 3,0 mm x 6,4 mm x 1,2 mm
- MSOP8 de 2,9 mm x 4,0 mm x 0,9 mm
- VSON008X2030 de 2,0 mm x 3,0 mm x 0,6 mm
Applications
- Caméra automobile
- Électronique pour automobiles
Caractéristiques techniques
- Durée de cycle d'écriture de 3,5 ms (max)
- Tension d'alimentation de 1,7 V à 5,5 V
- Cycles d’écriture
- 4 millions de fois (TA = 25 °C)
- 1,2 million de fois (TA = 85 °C)
- 0,5 million de fois (TA = 105 °C)
- 0,3 million de fois (TA = 125 °C)
- Conservation de données
- 100 ans (TA = 25 °C)
- 60 ans (TA = 105 °C)
- 50 ans (TA = 125 °C)
- Température de fonctionnement ambiante de -40 °C à +125 °C
Circuit d'application standard
Schéma fonctionnel
Associated EEPROMs
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1N04BBH N-Ch
Il offre une tension entre la source et le drain de 80 V avec une faible résistance de conduction dans un boîtier TO263AB haute puissance.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal PRH7G04CBKFRA
Homologué AEC-Q101 pour les applications automobiles, y compris l'infodivertissement, l'éclairage, le système d'aide à la conduite (ADAS) et la carrosserie.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G04CBJFRA
Homologué AEC-Q101 pour les applications automobiles, notamment l'infodivertissement, l'éclairage, le système d'aide à la conduite (ADAS) et la carrosserie.
ROHM Semiconductor EEPROM série WL-CSP
Up to 8Kbit serial EEPROM with an I2C BUS interface and are ideal for everyday electronic equipment.
| Numéro de pièce | Taille de la mémoire | Organisation | Courant d'alimentation de fonctionnement |
|---|---|---|---|
| BR24H64NUX-5ACTR | 64 kbit | 8 k x 8 | 10 uA |
| BR24H32FJ-5ACE2 | 32 kbit | 4 k x 8 | 2 mA |
| BR24H256FVM-5ACTR | 256 kbit | 32 k x 8 | 10 uA |
| BR24H64FVM-5ACTR | 64 kbit | 8 k x 8 | 2 mA |
| BR24H64FVT-5ACE2 | 64 kbit | 8 k x 8 | 10 uA |
| BR24H256NUX-5ACTR | 256 kbit | 32 k x 8 | 10 uA |
| BR24H32FVT-5ACE2 | 32 kbit | 4 k x 8 | 10 uA |
| BR24H128F-5ACE2 | 128 kbit | 16 k x 8 | 10 uA |
| BR24H04ANUX-5ACTR | 4 kbit | 512 x 8 | 10 uA |
| BR24H1MFVT-5ACE2 | 1 Mbit | 128 k x 8 | 20 uA |