ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RFC02MM2STR
La diode à récupération ultra-rapide RFC02MM2STR de ROHM Semiconductor dispose d'une faible tension directe, d'une faible capacité et d'une commutation à haut débit. Cette diode de récupération comprend une construction planaire épitaxiale en silicium. La diode RFC02MM2STR offre une tension inverse de crête répétitive de 200 V, un courant inverse de 1 μA et un courant de surtension directe non répétitif de 10 A. Cette diode de récupération fonctionne sur une plage de tension directe de 0,75 V à 0,95 V lorsque le courant direct est 0,5 A. La diode de récupération ultra-rapide RFC02MM2STR est idéale pour une utilisation dans le redressement général.
Caractéristiques
- Basse tension directe
- Type de construction planaire épitaxiale en silicium
- Faible capacité
- Commutation à grande vitesse
Caractéristiques techniques
- Tension inverse de crête répétitive 200 V
- Courant inverse de 1 μA
- Courant de surtension directe non répétitive de 10 A
- Plage de tension directe de 0,75 V à 0,95 V à IF = 0,5 A
- Température de stockage de -55 °C à + 150 °C
- Température de jonction de +150 °C
Applications
- Redressement général
Schémas mécaniques
Publié le: 2021-02-26
| Mis à jour le: 2022-03-11