ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RFN10BGE3STL
La diode à récupération ultra-rapide RFN10BGE3STL de ROHM Semiconductor dispose d'une construction planaire épitaxiale en silicium avec une capacité de surcharge de courant élevée et une faible perte de commutation. Cette diode de récupération ultra-rapide est stockée sur une plage de température de -55 °C à +150 °C et offre une tension inverse de crête répétitive de 350 V. La diode RFN10BGE3STL fonctionne à un courant direct rectifié moyen de 10 A, une tension directe maximale de 1,5 V, un courant inverse maximal de 10 μA et une température de jonction de 150 °C. Cette diode est idéale pour une utilisation dans le redressement général.
Caractéristiques
- Type de construction planaire épitaxiale en silicium
- Capacité de surcharge de courant élevée
- Faible perte en commutation
- Température de stockage de -55 °C à + 150 °C
- Tension inverse de crête répétitive 350 V
- Courant direct rectifié moyen de 10 A
- Tension directe maximale de 1,5 V
- Courant inverse maximal de 10 μA
- Température de jonction de +150 °C
Plan mécanique
Publié le: 2021-02-23
| Mis à jour le: 2022-03-11