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ROHM Semiconductor RFNxRSM2S Diodes à récupération ultra rapide

Les diodes à récupération ultra rapide RFNxRSM2S de ROHM Semiconductor sont des diodes planaires épitaxiales au silicium avec faible tension directe et faible perte de commutation.  Ces diodes ultra-rapides disposent d'une tension inverse de crête de 200 V et d'une plage de température de stockage de -55 °C à 175 °C. Les diodes de récupération ultra-rapide RFNxRSM2S offrent une capacité de surcharge en courant élevé. Ces diodes sont livrées dans un boîtier TO-277A. Les diodes à récupération ultra-rapide RFNxRSM2S sont conformes à la directive RoHS et idéales pour des applications générales de redressement.

Caractéristiques

  • Type de structure planaire épitaxiale en silicium
  • Tension inverse de crête de 200 V
  • Basse tension directe
  • Faible perte en commutation
  • Courant élevé capacité de surcharge

Applications

  • Redressement général
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Numéro de pièce Fiche technique Courant de surtension max. If - Courant direct Délai de reprise Ir - Courant inverse Vf - Tension directe
RFN4RSM2STFTL1 RFN4RSM2STFTL1 Fiche technique 80 A 4 A 36 ns 1 uA 930 mV
RFN4RSM2STL1 RFN4RSM2STL1 Fiche technique 80 A 4 A 36 ns 1 uA 930 mV
RFN6RSM2STFTL1 RFN6RSM2STFTL1 Fiche technique 80 A 6 A 38 ns 1 uA 930 mV
RFN6RSM2STL1 RFN6RSM2STL1 Fiche technique 80 A 6 A 38 ns 1 uA 930 mV
RFN10RSM2STFTL1 RFN10RSM2STFTL1 Fiche technique 130 A 10 A 25 ns 1 uA 960 mV
RFN10RSM2STL1 RFN10RSM2STL1 Fiche technique 130 A 10 A 25 ns 1 uA 960 mV
Publié le: 2024-05-22 | Mis à jour le: 2024-06-11