ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RFUH20TJ6S
La diode à récupération ultra rapide RFUH20TJ6S de ROHM Semiconductor est une diode à récupération rapide (type récupération progressive) standard qui offre une haute fiabilité. Cette diode est fabriquée à partir d'une construction planaire épitaxiale en silicium et est disponible en boîtier TO-220ACFP. La diode RFUH20TJ6S présente une perte de commutation ultra-faible et une capacité de surcharge de courant élevée. Cette diode de récupération ultra-rapide fonctionne sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. La diode RFNL15TJ6S est idéale pour une utilisation dans le redressement général.
Caractéristiques
- Récupération ultra-rapide (type de récupération progressive)
- Construction planaire épitaxiale en silicium
- Pertes de commutation ultra-faibles
- Capacité de surcharge de courant élevée
- Boîtiers TO-220ACFP
- Plage de température de -55 °C à +150 ºC
Applications
- Redressement général
Caractéristiques électriques
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ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RFNL15TJ6S
Excellente fiabilité, pertes de commutation très faibles et capacités de surcharge de courant élevées.
Publié le: 2021-01-02
| Mis à jour le: 2022-03-11