ROHM Semiconductor Diode à récupération rapide RFUH5TF6S
La diode à récupération rapide RFUH5TF6S de ROHM Semiconductor dispose d'une perte de commutation ultra-faible et d'une capacité de surcharge de courant élevée. Cette diode de récupération comprend une construction planaire épitaxiale en silicium. La diode de récupération RFUH5TF6S offre une tension inverse de crête répétitive de 600 V, un courant inverse de 10 μA et un courant de surtension direct non répétitif de 30 A. Cette diode de récupération fonctionne à une tension directe maximale de 2,8 V et est stockée sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. La diode de récupération ultra-rapide RFUH5TF6S est idéale pour une utilisation dans le redressement général.
Caractéristiques
- Perte de commutation ultra-faible
- Capacité de surcharge de courant élevée
- Construction planaire épitaxiale en silicium
- Tension inverse de crête répétitive 600 V (VRRM)
- Courant inverse de 10 μA
- Courant de surtension direct non répétitif de 30 A
- Tension directe maximale de 2,8 V
- Température de stockage de -55 °C à + 150 °C
Applications
- Redressement général
Plan mécanique
Publié le: 2021-02-26
| Mis à jour le: 2022-03-11