ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide RFx30TZ6S et RFx60TZ6S
Les diodes à récupération ultra-rapide RFx30TZ6S et RFx60TZ6S de ROHM Semiconductor sont des diodes planaires épitaxiales en silicium offrant une tension inverse de crête de 650 V et une plage de courant direct rectifié de 30 A à 60 A. Ces composants disposent d'une récupération rapide, d'une perte de commutation ultra-faible et d'une capacité de surcharge de courant élevée.
Les diodes à récupération ultra-rapide RFx30TZ6S et RFx60TZ6S de ROHM Semiconductor sont proposées dans un boîtier TO-247-2L aux normes de l'industrie avec une température de jonction maximale de 175 ℃.
Caractéristiques
- Structure planaire épitaxiale en silicium
- Tension inverse 650 V
- Plage de courant direct rectifié de 30 A à 60 A
- Récupération ultra-rapide
- Type de récupération ultra-douce
- Perte de commutation ultra-faible
- Capacité de surcharge de courant élevée
- Boîtier TO-247-2L
Applications
- Redressement général
- Alimentations PFC
Formes d'onde comparées des performances de bruit
Carte de comparaison des caractéristiques VF et trr
Désignations des broches
Profil du boîtier
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Courant de surtension max. | If - Courant direct | Délai de reprise | Vf - Tension directe | Package/Boîte |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RFS30TZ6SGC13 |  |
160 A | 30 A | 38 ns | 2.3 V | TO-247-2 |
| RFL30TZ6SGC13 | |
200 A | 30 A | 70 ns | 1.5 V | TO-247-2 |
| RFS60TZ6SGC13 | |
250 A | 60 A | 48 ns | 2.3 V | TO-247-2 |
| RFL60TZ6SGC13 | |
320 A | 60 A | 90 ns | 1.5 V | TO-247-2 |
Publié le: 2022-03-14
| Mis à jour le: 2022-07-12