ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide RFxDNZ
Les diodes à récupération ultra-rapide RFxDNZ de ROHM Semiconductor sont des diodes de type double à cathode commune dotées d'une faible tension directe et d'une faible perte de commutation. Ces diodes de récupération comprennent une construction planaire épitaxiale en silicium. Les diodes de récupération RFxDNZ sont stockées sur une plage de température de -55 °C à + 150°C. Ces diodes à récupération rapide fonctionnent à une température de jonction de 150 °C et un courant inverse de 10 μA. Les diodes à récupération ultra-rapide RFxDNZ sont idéales pour une utilisation dans le redressement général.
Caractéristiques
- Basse tension directe
- Construction planaire épitaxiale en silicium
- Faible perte en commutation
- Cathode de type double commun
Caractéristiques techniques
- Plage de température de stockage de -55 °C à +150 ºC
- Température de jonction de fonctionnement : 150 °C
- Courant inverse de 10 μA
- Diode RF1001T2DNZ :
- Tension directe de 0,93 V à IF = 5 A
- Diode RF1601T2DNZ :
- Tension directe de 0,93 V à IF = 8 A
- Diode RF2001T2DNZ :
- Tension directe de 0,93 V à IF = 10 A
- Diode RF2001T3DNZ :
- Tension directe de 1,3 V à IF = 10 A
- Diode RF601T2DNZ :
- Tension directe de 0,93 V à IF = 3 A
Applications
- Redressement général
Publié le: 2021-02-26
| Mis à jour le: 2022-03-11