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ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V

Les MOSFET de puissance à canal N 60 V RH7L04 de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour une tension drain-source (VDSS) de 60 V et un courant de drain continu (ID) de ±40A. Ces MOSFET sont dotés d'une faible résistance drain-source à l'état passant [RDS(ON)] et sont disponibles dans un boîtier DFN-8 (DFN3333T8LSAB) de 3,3 mm x 3,3 mm. Les MOSFET RH7L04 de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les systèmes d'aide à la conduite (ADAS), les applications d'information, d'éclairage et de carrosserie.

Caractéristiques

  • Produit avec flancs mouillables
  • Qualification AEC-Q101
  • 100 % testé en avalanche

Applications

  • Système d'aide à la conduite (ADAS)
  • Informations
  • Éclairage
  • Carrosserie

Caractéristiques techniques

  • Résistance drain-source à l'état passant [RDS(ON)]
    • RH7L04BBKFRA
      • 6,4 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
      • 9,9 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
    • RH7L04CBKFRA
      • 10,6 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
      • 16,0 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
    • RH7L04CBLFRA
      • 10,6 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
      • 14,8 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
  • Dissipation d'énergie (PD)
    • RH7L04BBKFRA - 75 W
    • RH7L04CBKFRA - 62 W
    • RH7L04CBLFRA - 64 W
  • Charge de grille totale (Qg)
    • RH7L04BBKFRA
      • 21 nC (std) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
      • 105 nC (std) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 4,5 V)
    • RH7L04CBKFRA
      • 13,6 nC (std) (VDD = 30 VID = 10 A VGS = 10 V)
      • 6,6 nC (std) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 4,5 V)
    • RH7L04CBLFRA
      • 13,6 nC (std) (VDD = 30 V, ID = 10 A VGS = 10 V)
      • 6,6 nC (std) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 6,0 V)
  • Température de jonction +175 °C (Tj)

Schéma du circuit

Schéma - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V

Schéma du boîtier

Plan mécanique - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V
Publié le: 2025-07-24 | Mis à jour le: 2025-08-19