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ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

Les MOSFET de puissance ROHM Semiconductor  RJ1x10BBG sont des MOSFET de puissance à canal N présentant une faible résistance à l'état passant et un boîtier à haute puissance. Les MOSFET de puissance RJ1G10BBG et RJ1L10BBG ont, respectivement, une tension drain-source de 40 V et 60 V, un courant de drain continu de ±280 A et ±240 A, et une dissipation d'énergie de 192 W. Les MOSFET de puissance RJ1x10BBG sont conformes à la directive RoHS. Ces MOSFET de puissance ont un placage sans plomb, sont sans halogène et testés 100 % Rg et UIS. Les MOSFET de puissance RJ1x10BBG fonctionnent dans une plage de température comprise entre -55°C et 150°C. Les applications typiques comprennent la commutation, les entraînements à moteur et les convertisseurs CC/CC.

Caractéristiques

  • Faible résistance à l'état passant
  • Boîtier haute puissance (TO263AB)
  • Placage sans plomb
  • Conforme à la directive RoHS
  • Sans halogène
  • 100 % testé à Rg et UIS

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source :
    • 40 VDSS (RJ1G10BBG)
    • 60 VDSS (RJ1L10BBG)
  • RDS(ON) (maximum) :
    • 1,43 mΩ (RJ1G10BBG)
    • 1,85 mΩ (RJ1L10BBG)
  • Résistance thermique de 0,65 °C/W
  • Courant de drain pulsé de ±900 A
  • Courant d'avalanche de 70 A
  • Tension grille-source de ±20 V
  • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à 150 °C

Applications

  • Commutation
  • Entraînements à moteur
  • Convertisseur CC/CC
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Numéro de pièce Fiche technique Temps de descente Transconductance directe - min. Id - Courant continu de fuite Qg - Charge de grille Rds On - Résistance drain-source Temps de montée Vds - Tension de rupture drain-source Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max.
RJ1G10BBGTL1 RJ1G10BBGTL1 Fiche technique 340 ns 70 S 280 A 210 nC 1.43 mOhms 64 ns 40 V - 55 C + 150 C
RJ1L10BBGTL1 RJ1L10BBGTL1 Fiche technique 140 ns 64 S 240 A 160 nC 1.85 mOhms 31 ns 60 V - 55 C + 150 C
Publié le: 2025-07-29 | Mis à jour le: 2025-08-21