ROHM Semiconductor Diode à broche à faible résistance directe (rF) RN781VM
La Diode à broche et à résistance directe (rF) de basse haute fréquence ROHM Semiconductor RN781VM est une diode à broche compacte et à hautes performances, spécialement conçue pour des applications de commutation et d'atténuation de RF. Avec une faible résistance directe (rF) (4,0 Ω maximum), cette diode ROHM limite la perte de signal, ce qui fait qu'elle s'avère idéale pour des circuits de hautes fréquences où une transmission efficace de signaux et une commutation rapide s'avèrent essentielles. Logé dans un boîtier de montage en surface SOD-323FL peu encombrant, le RN781VM prend en charge des conceptions de PCB rationalisées et des processus de fabrication automatisés.
Cette diode présente une tension inverse nominale de 100 V (maximum) et peut accepter des courants directs jusqu'à 50 mA, en offrant des performances robustes sur une large gamme de conditions de fonctionnement. Une résistance directe maximale de 4,0 Ω (pour 10 mA et 100 MHz) et une faible capacité de jonction de 0,4 pF (sous 30 V et 1,0 MHz) permettent un excellent isolement et de brefs temps de réponse. Avec une tension directe de 1,0 V maximum et un courant de fuite inverse de 10 μA, la ROHM RN781VM s'avère bien adaptée à des circuits de commutation de RF, à des atténuateurs, à des dispositifs de communication mobile et à des systèmes sans fil nécessitant une commande fiable et efficaces de signaux.
Caractéristiques
- Haute fiabilité
- Type de moule de petite taille
- Structure planaire épitaxiale
- Configuration unique
- Faible résistance directe à haute fréquence
- Faible capacité entre bornes
- Boîtier de montage en surface SOD-323FL (SC-90A)
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Circuits de commande automatique de gains
- Amplificateurs et atténuateurs d’antenne
Caractéristiques techniques
- 2 bornes
- 100 V de tension maximale inverse
- 50 mA de courant direct maximal
- Tension directe maximale de 1,0 V à 10 mA
- Capacité maximale de 0,4 pF entre les bornes à 35 V, 1,0 MHz
- Résistance directe maximale à haute fréquence de 4,0 Ω à 10 mA, 100 MHz
- Courant inverse maximal de 10 μA sous 100 V
- Température de jonction maximale de +150 °C
- Boîtier de 2,5 mm x 1,25 mm, épaisseur de 0,9 mm
Circuit intérieur
Publié le: 2025-11-04
| Mis à jour le: 2026-01-22