ROHM Semiconductor Diode à broche RN789FM
La diode à broche ROHM Semiconductor RN789FM est un petit boîtier moulé, adapté à un circuit de contrôle de gain automatique et à un amplificateur/atténuateur d'antenne. Cette diode a une tension inverse maximale de 100 V et peut gérer un courant direct de 50 mA. La diode de broche RN789FM est hébergée dans un boîtier SOT-323 et se caractérise par une haute fiabilité et de faibles RF et Ct. Cette diode prend en charge une résistance directe haute fréquence de 4 Ω (à IF = 10 mA et f = 100 MHz) et une capacité maximum entre bornes de 0,4 pF. La diode à broche RN789FM est conforme à la norme RoHS et offre une plage de température de stockage de -55 °C à +150 °C. Les applications typiques comprennent le circuit de contrôle de gain automatique et l'amplificateur/atténuateur d’antenne.
Caractéristiques
- Haute fiabilité
- Type de moule de petite taille
- Faible rF
- Faible Ct
- Boîtier SOT-323
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Circuit de contrôle automatique du gain
- Amplificateur/atténuateur d'antenne
Caractéristiques techniques
- Caractéristiques à Ta de 25 °C :
- Tension directe maximale de 1 V à IF = 10 mA
- Courant inverse maximal de 10 µA à VR = 100 V
- Capacité maximale de 0,4 pF entre les bornes à VR = 35 V et f = 1 MHz
- Résistance directe haute fréquence maximale de 4 Ω à IF = 10 mA et f = 100 MHz
- Tension maximale absolue à Ta de 25 °C :
- Tension inverse (VR) de 100 V
- Courant direct (IF) de 50 mA
- Température de jonction de 150 °C
- Température de stockage de -55 °C à +150 ºC
Circuit intérieur
Dimensions
Diode associée
ROHM Semiconductor Diode à broche à faible résistance directe (rF) RN781VM
Diode à broche compacte et à hautes performances, conçue pour des applications de commutation et d'atténuation de RF.
Publié le: 2026-07-07
| Mis à jour le: 2026-07-21