ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -30 V -10 A RRS100P03HZG

Le MOSFET de puissance à canal P RRS100P03HZG de ROHM Semiconductor de -30 V -10 A est un composant à faible résistance à l'état passant logé dans un petit boîtier à montage en surface (SOP8). Le RRS100P03HZG dispose d'un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS. Le MOSFET est également sans halogènes, dispose d'un placage 100 % étain et est homologué AEC-Q101.