ROHM Semiconductor MOSFET à tranchée SiC de 3e génération SCT3x
Les MOSFET à tranchée SiC série SCT3x de ROHM Semiconductor utilisent une structure exclusive de grille en tranchée qui réduit la résistance de 50 % et la capacité d’entrée de 35 % par rapport aux MOSFET SiC de type planaire. Cette conception se traduit par une perte de commutation considérablement plus faible et des vitesses de commutation plus rapides, améliorant ainsi l’efficacité opérationnelle tout en réduisant la perte de puissance dans une variété d’équipements. Le SCT3x de ROHM Semiconductor comprend les variantes 650 V et 1 200 V pour une large applicabilité.
Caractéristiques
- La faible résistance à l’état passant améliore la densité de puissance de l’onduleur
- 17 mΩ à 120 mΩ (650 V)
- 22 mΩ à 160 mΩ (1 200 V)
- Prend en charge la commutation à haute vitesse
- Comportement de récupération inverse minimal de la diode de corps
- Faibles capacité parasite et Qg
- Fonctionnement à haute température (Tjmax = +175 °C)
Applications
- Sources d’alimentation en mode commutation
- Onduleurs solaires
- Alimentations sans interruption
- Chargeurs de véhicules électriques
- Équipement de chauffage par Induction
- Entraînements à moteur
- Les trains
- Convertisseurs d’énergie éolienne
Vidéos
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Carte d'évaluation
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Allows evaluating the BD7682FJ-LB IC for AC/DC converters in industrial equipment.