ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4018KW7

Le MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4018KW7 de ROHM Semiconductor offre une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide. Le SCT4018KW7 est facile à piloter et à installer en parallèle.  Le composant dispose également d’un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS.Le MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4018KW7 de    ROHM Semiconductor est adapté aux onduleurs solaires, au chauffage par induction, aux alimentations en mode commutation, aux convertisseurs CC-CC et aux entraînements de moteurs.

Caractéristiques

  • Faible résistance à l'état passant
  • Vitesse de commutation élevée
  • Récupération inverse rapide
  • Facile à mettre en parallèle
  • Facile à piloter
  • Placage de fil sans plomb et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Onduleurs solaires
  • Convertisseurs CC-CC
  • Alimentations à découpage
  • Chauffage par induction
  • Entraînements à moteur

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Style de boîtier

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4018KW7
Publié le: 2022-09-28 | Mis à jour le: 2023-12-27