ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SCT4045DWAHR AEC-Q101 à canal N en carbure de silicium (SiC)
Le MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) à canal N AEC-Q101 SCT4045DWAHR de ROHM Semiconductor est un dispositif de qualité automobile conçu pour des applications à haute efficacité et haute fiabilité dans des environnements difficiles. Avec une tension nominale drain-source de 750 V et un courant de drain continu de 31 A (à +25°C par puce), ce dispositif MOSFET double offre une résistance à l’état passant standard de seulement 45 mΩ par canal, permettant des pertes de conduction réduites et des performances thermiques améliorées. Emballé dans une configuration compacte TO-263-7LA, le SCT4045DWAHR de ROHM prend en charge des conceptions à haute densité et une gestion thermique efficace.
Le SCT4045DWAHR est idéal pour une utilisation dans les convertisseurs de véhicules électriques (VE), les chargeurs embarqués et d’autres systèmes de groupe motopropulseur automobile, bénéficiant des avantages inhérents de la technologie SiC tels que la commutation à haute vitesse, les faibles pertes de commutation et une excellente exploitation à haute température. La qualification automobile garantit des performances robustes selon des normes de fiabilité strictes, faisant du MOSFET un choix solide pour l’électrification des véhicules de nouvelle génération.
Caractéristiques
- Qualification AEC-Q101
- Faible résistance en état de fonctionnement
- Vitesse de commutation élevée
- Récupération inverse rapide
- Facile à mettre en parallèle
- Facile à piloter
- Boîtier TO-263-7LA
- Ligne de fuite large 4,7 mm (minimum)
- Placage de fil sans Pb
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Automobile
- Alimentations électriques en mode commutateur
Caractéristiques techniques
- Tension maximale drain-source de 750 V
- Courant continu maximum drain/source
- 31 A à +25 °C
- 22 A à +100 °C
- Courant de drain de tension grille zéro maximale de 80 μA
- Courant de drain impulsionnel maximal de 61 A
- Diode de carrosserie
- Courant direct maximum
- Impulsion de 31 A
- Surtension de 61 A
- Tension directe typique de 3,3 V
- Temps de récupération inverse standard de 9,3 ns
- Charge de récupération inverse de 89 nC
- Courant de récupération inverse de crête standard de 19 A
- Courant direct maximum
- Plage de tension CC maximale entre la grille et la source de -4 V à 21 V
- Plage de tension de choc maximale entre la grille et la source de -4 V à 23 V
- Tension de commande maximale recommandée entre la grille et la source
- Plage d’allumage maximale de 15 V à 18 V
- 0 V d’extinction
- Courant de fuite grille-source ±100 nA
- Plage de tension de seuil de la grille de 2,8 V à 4,8 V
- Drain-source résistance à l’état passant
- Statique maximum 59 mΩ à +25 °C
- Standard 45 mΩ
- Résistance d’entrée grille standard de 4 Ω
- Résistance thermique de la jonction au boîtier de 1,6 K/W
- Transconductance standard de 9,3 S
- Capacité standard
- Entrée 1 460 pF
- Sortie de 69 pF
- Transfert inverse de 5 pF
- Sortie effective de 90 pF, liée à l’énergie
- Grille standard
- Total de 63 nC
- Charge de source de 14 nC
- Charge de drain 19 nC
- Durée standard
- Délai de mise sous tension de 5,1 ns
- Montée de 16 ns
- Délai de coupure de 27 ns
- Chute de 10 ns
- Perte de commutation standard
- 112 μJ à l’allumage
- 17 μJ à l’extinction
- Température de jonction virtuelle maximale de +175 °C
Circuit intérieur
MOSFET associés
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération
Fournit de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC AEC-Q101
Peuvent être utilisés pour augmenter la fréquence de commutation, réduisant la taille des composants externes.