Semtech Diode TVS à faible capacité SVS03331P1RBQ
La diode TVS à faible capacité SVS03331P1RBQ de Semtech est spécialement conçue pour assurer la protection DES secondaire contre les surtensions et les décharges électrostatiques sur les antennes et les ports de données à haut débit. Le dispositif SVS03331P1RBQ est conditionné dans un boîtier DFN 1,00 mm x 0,60 mm x 0,50 mm à 2 fils et utilise la technologie de retour élastique pour minimiser les tensions de pincement du dispositif. Chaque dispositif protège une ligne haute vitesse fonctionnant à 3,3 V avec une capacité standard de 0,37 pF. Les caractéristiques DES sont mises en évidence par une tension de tenue DES élevée selon la norme CEI 61000-4-2 (±30 kV au contact et ±30 kV en air) et une résistance dynamique extrêmement faible (0,22 Ω standard). Le SVS03331P1RBQ de Semtech dispose de fils sans plomb et est qualifié AEC-Q101 pour les applications automobiles.Caractéristiques
- Haute tension de résistance DES
- CEI 61000-4-2 (DES) - ±30 kV au contact, ±30 kV en air
- ISO 10605 (DES) - ±25 kV au contact, ±25 kV en air
- Petit boîtier DFN 2 pattes de 1,00 mm x 0,60 mm x 0,50 mm
- Protège une ligne
- Tension de limitation DES faible
- Tension de fonctionnement de 3,3 V
- Capacité minimale typique de 0,37 pF
- Faible courant de fuite
- Faible résistance dynamique
- Qualification AEC-Q101
- Technologie à avalanche au silicium à semi-conducteurs
Applications
- Antennes
- USB 3.0/ USB 3.1/ USB Type-C®
- Automobile
- Équipement industriel
Caractéristiques techniques
- Puissance d'impulsion maximale de pointe de 80 W
- Courant d'impulsion de crête maximum de 10 A
- Tension de blocage inverse maximum de 3,3 V
- Plage de tension de claquage inverse de 6 V à 11 V
- Courant de fuite inverse maximum de 50 nA, <5 na>5 na>
- Tension de limitation maximum de 8 V, 5,3 V typique
- Plage de tensions de limitation DES typique de 3,4 V à 6,0 V
- Résistance dynamique typique de 0,22 Ω
- Capacité de jonction maximale de 0,43 pF, 0,37 pF typique
- Plage de température de fonctionnement/jonction de -40 °C à +125 °C
Schéma fonctionnel
Dimensions
Publié le: 2025-08-05
| Mis à jour le: 2026-04-03
