Semtech Diode TVS à faible capacité SVS03331P1RBQ

La diode TVS à faible capacité SVS03331P1RBQ de Semtech est spécialement conçue pour assurer la protection DES secondaire contre les surtensions et les décharges électrostatiques sur les antennes et les ports de données à haut débit.  Le dispositif SVS03331P1RBQ est conditionné dans un boîtier DFN 1,00 mm x 0,60 mm x 0,50 mm à 2 fils et utilise la technologie de retour élastique pour minimiser les tensions de pincement du dispositif. Chaque dispositif protège une ligne haute vitesse fonctionnant à 3,3 V avec une capacité standard de 0,37 pF. Les caractéristiques DES sont mises en évidence par une tension de tenue DES élevée selon la norme CEI 61000-4-2 (±30 kV au contact et ±30 kV en air) et une résistance dynamique extrêmement faible (0,22 Ω standard). Le SVS03331P1RBQ de Semtech dispose de fils sans plomb et est qualifié AEC-Q101 pour les applications automobiles.   

Caractéristiques

  • Haute tension de résistance DES
    • CEI 61000-4-2 (DES) - ±30 kV au contact, ±30 kV en air
    • ISO 10605 (DES) - ±25 kV au contact, ±25 kV en air
  • Petit boîtier DFN 2 pattes de 1,00 mm x 0,60 mm x 0,50 mm
  • Protège une ligne
  • Tension de limitation DES faible
  • Tension de fonctionnement de 3,3 V
  • Capacité minimale typique de 0,37 pF
  • Faible courant de fuite
  • Faible résistance dynamique
  • Qualification AEC-Q101
  • Technologie à avalanche au silicium à semi-conducteurs

Applications

  • Antennes
  • USB 3.0/ USB 3.1/ USB Type-C®
  • Automobile
  • Équipement industriel

Caractéristiques techniques

  • Puissance d'impulsion maximale de pointe de 80 W
  • Courant d'impulsion de crête maximum de 10 A
  • Tension de blocage inverse maximum de 3,3 V
  • Plage de tension de claquage inverse de 6 V à 11 V
  • Courant de fuite inverse maximum de 50 nA, <5 na>
  • Tension de limitation maximum de 8 V, 5,3 V typique
  • Plage de tensions de limitation DES typique de 3,4 V à 6,0 V
  • Résistance dynamique typique de 0,22 Ω
  • Capacité de jonction maximale de 0,43 pF, 0,37 pF typique
  • Plage de température de fonctionnement/jonction de -40 °C à +125 °C

Schéma fonctionnel

Schéma - Semtech Diode TVS à faible capacité SVS03331P1RBQ

Dimensions

Plan mécanique - Semtech Diode TVS à faible capacité SVS03331P1RBQ
Publié le: 2025-08-05 | Mis à jour le: 2026-04-03