Vishay / Siliconix MOSFET de puissance TrenchFET Gen V avec VDS
Les MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V Vishay/Siliconix augmentent le rendement de conversion de puissance avec un facteur de mérite (FOM) RDS x Qg très faible. Les MOSFET de puissance Gen V disposent d’options de tension de claquage drain-source de 80 V, 100 V et 150 V. Les MOSFET de puissance Gen V sont disponibles en boîtier unique PowerPAK® 1212-8SH ou PowerPAK SO-8.
Caractéristiques
- MOSFET de puissance TrenchFET Gen V
- Économise de l'énergie en augmentant le rendement des topologies de conversion de puissance et des circuits de commutation
- Optimisé pour une utilisation dans plusieurs topologies
- Facteur de mérite (FOM) RDS x Qg très faible
- Testé 100 % Rg et UIS
Applications
- Redressement synchrone
- Commutateur côté primaire
- Convertisseurs CC-CC
- Commutateur OR-ing et permutable à chaud
- Sources d’alimentation
- Commande de moteurs
- Gestion de batteries
Infographie
Styles de boîtiers
Ressources supplémentaires
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Publié le: 2021-03-10
| Mis à jour le: 2025-05-09