STMicroelectronics Carte de démonstration EVSTDRIVEG600DM
La carte de démonstration EVSTDRIVEG600DM STMicroelectronics fournit une conception de référence de topologie à demi-pont associant le pilote de grille STDRIVEG600 à un MOSFET de puissance MDmesh™ DM2. Le STDRIVEG600 est un pilote de grille à demi-pont simple puce pour les eHEMTs au GaN (nitrure de Gallium) (Transistors à haute mobilité d'électrons mode amélioré) ou les MOSFET de puissance à canal N. Le côté haut du STDRIVEG600 est conçu pour résister à des tensions pouvant atteindre 600 V. Il est adapté aux conceptions avec une tension de bus pouvant atteindre 500 V.
La carte de démonstration EVSTDRIVEG600DG STMicroelectronics comprend un STDRIVEG600 pré-monté dans un boîtier SO-16 et un MOSFET de puissance STL33N60DM2 115 mΩ 600 V MDmesh DM2 dans un boîtier PowerFLAT ™ 8x8 HV avec source Kelvin. La carte de démonstration dispose également d'un générateur de temps mort programmable intégré et d'un régulateur de tension linéaire 3,3 V pour alimenter des contrôleurs logiques externes comme les microcontrôleurs.
Des empreintes de rechange sont incluses pour permettre de personnaliser la carte pour l'application finale, comme un signal d'entrée séparé ou un signal PWM unique, l'utilisation d'une diode d'amorçage externe en option, une alimentation séparée pour VCC, pVCC ou le démarrage, et l'utilisation d'une résistance shunt côté bas pour les topologies en mode courant de crête.
Caractéristiques
- Topologie demi-pont basée sur le pilote de grille STDRIVEG600
- MOSFET de puissance STL33N60DM2 115 mΩ 600 V MDmesh DM2
- Boîtier HV PowerFLAT avec source Kelvin
- Régulateur LINÉAIRE LDO 3,3 V ST715M33R
- Bus HV jusqu'à 500 V
- Tension d'alimentation de commande de grille de 4,75 V à 6,5 VCC , limitée par une tension nominale GaN VGS
- Générateur de temps mort réglable intégré pour convertir le signal PWM unique en temps mort indépendant côté haut et côté bas
- Entrées séparées optionnelles avec temps mort externe
- Résistance thermique de jonction à la température ambiante de 25 °C/W pour évaluer les topologies de grande puissance
- Connecteur haute fréquence pour surveillance de transistor de puissance GaN de porte
- Shunt côté bas optionnel
- PCB 50 mm x 70 mm FR-4
- Conforme à la directive RoHS
Documents
Dispositifs pris en charge
STMicroelectronics Pilote de grille à demi-pont STDRIVEG600
Pilote de grille à demi-pont à puce unique pour FET GaN à mode d'amélioration ou MOSFET de puissance à canal N.
STMicroelectronics MOSFET de puissance FDmesh II Plus™ à canal N STx24N60DM2
MOSFET de puissance de nouvelle génération utilisant la nouvelle technologie MDmesh™ : MDmesh II Plus™ à faible Qg.
Outils de développement associés
STMicroelectronics Carte de démonstration EVSTDRIVEG600DG
Conception de référence à demi-pont associant le pilote de grille STDRIVEG600 à un HEMT GaN 650 V.
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STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.