IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série M STMicroelectronics
Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série M STMicroelectronics sont des IGBT développés à l'aide d'une structure exclusive de pointe de grille en tranchée et d'arrêt de champ. Ils représentent un compromis de performances pour maximiser le rendement des systèmes inverseurs quand des faibles pertes et une capacité de court-circuit sont essentielles. De plus, un coefficient de température VCE(sat) positif et une distribution étroite des paramètres entraînent un fonctionnement parallèle plus sûr. Des applications classiques de ces composants comprennent les systèmes d'entraînement industriels, les onduleurs (UPS), des applications pour le solaire et le brasage.
Caractéristiques
10 μs de durée de résistance aux courts-circuits
Distribution de paramètres étroite
Mise en parallèle plus sûre
Résistance thermique basse
Diode antiparallèle à recouvrement progressif et rapide
