MOSFET de puissance et IGBT pour SMPS STMicroelectronics
STMicroelectronics propose les toutes dernières technologies en matière de SMPS. En ciblant à la fois les applications SMPS haut de gamme et à prix réduit, ST offre une vaste gamme de MOSFET et IGBT répondant à toutes vos exigences en matière de conception. Le portefeuille de ST comprend les MOSFET super-jonction à haute tension, les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée pour les étages PFC et PWM ainsi que les MOSFET à tranchée basse tension pour le redressement synchrone. Les tout derniers MOSFET SiC 1 200 V de ST associent la plus haute classe de température de jonction du marché à 200 °C avec une très faible surface RDS(on) (à variation minimale en température) et d'excellentes performances de commutation pour des conceptions SMPS compactes et plus efficaces. Pour le redressement synchrone, la série STripFET F7 basse tension dispose d'une résistance à l'état passant extrêmement faible et d'un rapport optimal de capacités Crss/Ciss Explorez l'offre complète de ST en matière de MOSFET et d'IGBT pour les conceptions SMPS.
MOSFET de puissance MDmesh M5 de STMicroelectronics
La série M5 MDmesh 550 et 650 V STMicroelectronics de MOSFET d'alimentation à super jonction offre des valeurs de RDS(on) réduisant notablement les pertes dans les circuits PFC de tension de ligne et d'alimentations. Cela donne à son tour naissance à de nouvelles générations de produits électroniques offrant d'importantes économies d'énergie, une densité de puissance supérieure et des applications plus compactes. Cette nouvelle technologie aidera les concepteurs de produits à relever les nouveaux défis que posent les objectifs d'efficacité élevée des nouvelles directives d'éco-conception et elle profitera également au secteur des énergies renouvelables en permettant d'économiser les watts essentiels normalement perdus dans les modules de commande de puissance. Les MOSFET MDmesh M5 de STMicroelectronics intègrent une technologie à base de silicium qui combine une technologie verticale propriétaire innovante avec la disposition horizontale PowerMESH de STMicroelectronics. Cette technologie permet d'obtenir un meilleur RDS(on) de 40 % par rapport à la précédente technologie MDmesh II et établit une nouvelle référence dans le domaine de la commutation de puissance.
Caractéristiques
Valeurs RDS(on) exceptionnelles dans le domaine
Commutation rapide
VDSS élevé
Capacité dV/dt élevée
Facile à piloter
100 % testé en mode avalanche
Applications
SMPS (ordinateurs, adaptateurs haute efficacité et télécommunications)
MOSFET de puissance MDmesh™ M2 de STMicroelectronics
Les MOSFET de puissance à super-jonction 600 et 650 V série MDmesh™ M2 STMicroelectronics sont optimisés pour les applications à commutation souple (alimentations résonnantes LLC) grâce à un compromis optimisé entre RDS(on), la charge de grille (Qg) et les capacités intrinsèques (Ciss, Coss). Ils sont également adaptés aux applications PFC, surtout à faibles charges.
Caractéristiques
Entièrement isolés, fournis dans un boîtier à profil mince avec une ligne de fuite accrue entre la broche et la platine du dissipateur de chaleur.
RDS(on) par surface plus faible par rapport à la précédente génération
MOSFET de puissance MDmesh DM2 de STMicroelectronics
La série MDmesh DM2 STMicroelectronics est la toute dernière série de diodes à récupération rapide de ST de MOSFET de puissance 600 V optimisés pour les topologies de pont à décalage de phase ZVS. Ils disposent d'une très faible durée et charge de récupération (Qrr, trr) et présentent une RDS(on) de 20 % plus faible par rapport à la génération précédente. Une haute robustesse dV/dt (40 V/ns) assure une meilleure fiabilité du système.
Caractéristiques
Capacité d'entrée et charge de grille extrêmement faibles
RDS(on) par surface plus faible par rapport à la précédente génération
Faible résistance d'entrée de grille
100 % testé en mode avalanche
Protégés par diode Zener
Capacités en avalanche et dv/dt extrêmement élevées
MOSFET de puissance MDmesh K5 de STMicroelectronics
La série MDmesh K5 STMicroelectronics sont des MOSFET à très haute tension et super-jonction, avec les meilleurs RDS(on) et facteur de mérite de l'industrie pour une densité de puissance et une efficacité accrues. Classes de tension comprenant 800 V, 950 V et 1 050 V.
MOSFET de puissance STripFET™ F7 de STMicroelectronics
Les MOSFET STripFET F7 80 et 100 V STMicroelectronics disposent d'une structure grille-tranchée améliorée qui diminue la résistance à l'état passant tout en réduisant les capacités internes et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace. Ils sont idéaux pour le redressement synchrone.
MOSFET de puissance STripFET™ H7 de STMicroelectronics
La série STripFET H7 à 30 V de STMicroelectronics est optimisée pour les systèmes de gestion de puissance à haute performance et haute densité. Cette série de MOSFET basse tension tranchée-grille combine une résistance à l'état passant extrêmement faible et des capacités ultra-basses avec une diode Schottky intégrée optimisée pour un fonctionnement à fréquence de commutation plus élevée.
MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics
Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et haute densité d'alimentation.
Caractéristiques
Légère variation des pertes en commutation par rapport à la température
Capacité de fonctionnement à très haute température (200 °C)
La série V d'IGBT à très haute vitesse d'arrêt de champ tranchée-grille à 600 V STMicroelectronics dispose de la plus faible Eoff du secteur. Ceci combiné à une tension de saturation descendant à 1,8 V et une température de jonction en fonctionnement maximale de 175 °C leur permet de faire augmenter le rendement du système, d'atteindre des fréquences de commutation plus élevées (jusqu'à 120 kHz) et une conception thermique et EMI simplifiée.
IGBT série HB STMicroelectronics
Les IGBT série HB de 650 V STMicroelectronics associent une tension de saturation très faible (descendant à 1,6 V) avec une queue de coupure du courant au collecteur minimale et une température de fonctionnement maximale de 175 °C. Ceci améliore le rendement des applications à haute fréquence (jusqu'à 100 kHz) et tire parti de la structure avancée exclusive à grille en tranchée et arrêt de champ (TGFS).
Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série H à 1 200 V de STMicroelectronics représentent le meilleur compromis entre les pertes de conduction et de commutation afin d'optimiser le rendement de tous les convertisseurs de fréquence. Grâce à la technologie de pointe d'arrêt de champ et de grille en tranchée haut débit de ST, ces IGBT ont une durée de tenue au court-circuit de 5 µs minimum à TJ=150 °C, une terminaison de coupure de courant au collecteur minimale et une faible tension de saturation (Vce(sat)) jusqu'à 2,1 V (standard), ce qui réduit les pertes d'énergie au moment de la mise en marche et de la commutation. De plus, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution très étroite des paramètres entraînent un fonctionnement parallèle plus sûr.
Caractéristiques
Gamme de commutation à haute vitesse
Courant d'extrémité minimisé
VCE(sat) = 2,1 V (std) à IC = 40 A
Durée de tenue au court-circuit de 5 µs minimum à TJ=150 °C
Mise en parallèle sécurisée
Diode antiparallèle ultrarapide à recouvrement
Résistance thermique basse
Boîtier sans plomb
Applications
Sources d'alimentation sans coupure, onduleurs UPS
