STMicroelectronics Diodes de suppression de tension transitoire SMC30J
Les diodes de suppression de tension transitoire (TVS) SMC30J de STMicroelectronics sont conçues pour protéger les équipements sensibles contre les décharges électrostatiques conformément aux normes CEI 61000-4-2, MIL-STD 883 méthode 3015, et contre les surtensions électriques telles que celles décrites dans les normes CEI 61000-4-4 et 5. Les diodes TVS SMC30J sont utilisées pour les surtensions inférieures à 3 000 W 10/1 000 μs. La technologie planaire de ces dispositifs les rend adaptés aux équipements haut de gamme et aux SMPS, où un faible courant de fuite et une température de jonction élevée sont nécessaires pour assurer la fiabilité et la stabilité dans le temps.Les diodes TVS SMC30J de STMicroelectronics sont logées dans un boîtier DO-214AB-2 et disposent d'une plage de température de jonction de fonctionnement de -55 ºC à +175 ºC.
Caractéristiques
- Puissance d'impulsion de pointe
- 3000 W (10/1 000 μs)
- Jusqu'à 40 kW (8/20 μs)
- Plage de tension d'arrêt de 5 V à 188 V
- Types unidirectionnels et bidirectionnels
- Faible courant de fuite 0,2 µA à 25 °C
- Plage de température de jonction de fonctionnement de -55 °C à +175 °C
- Résine respectant UL94, V0
- Finition au plomb, étamage mat
- Boîtier DO-214AB-2
- MSL niveau 1, selon J-STD-020
- J-STD-002, JESD 22-B102 E3 et MIL-STD-750, méthode 2026
- Empreinte IPC7531 et profil boîtier enregistré JEDEC
- CEI 61000-4-4 niveau 4
- -4 kV
- CEI 61000-4-2, C = 150 pF, R = 330 Ω, dépasse le niveau 4
- -30 kV (décharge dans l'air)
- -30 kV (décharge par contact)
Applications
- Produits électroniques grand public
- Industriel
- Ordinateurs et tablettes
- Télécommunications
- Interfaces E/S
- Sources d’alimentation en mode commutable
Vidéos
Profil du boîtier
Publié le: 2022-06-24
| Mis à jour le: 2025-01-23
