IGBT 600 à 650 V de STMicroelectronics

IGBT 600 à 650 V de STMicroelectronics

Les IGBT 600 à 650 V de STMicroelectronics fournissent un courant de collecteur maximum compris entre 3 A et 150 A pour les applications ayant une fréquence de fonctionnement jusqu'à 100 kHz. Des versions dotées d'une diode antiparallèle intégrée personnalisée pour l'optimisation de la conception sont également disponibles. Cette plage de tension est obtenue grâce à la technologie standard PowerMESH de pénétration de ST et la nouvelle technologie d'arrêt de champ et de grille en tranchée. Les applications cibles pour ces IGBT 600 à 650 V comprennent les appareils ménagers, le chauffage par induction, les applications photovoltaïques, les ASI, les applications de soudure et d'éclairage. Les options de boîtier disponibles sont les suivantes : D2PAK, DPAK, ISOTOP, Max247, TO-220, TO-220FP, TO-247, TO-247 fils longs, TO-3PF.

Caractéristiques
  • Température de jonction maximale : TJ = 175 °C
  • Très haute vitesse de commutation
  • Faible tension de saturation
  • Distribution de paramètres étroite
  • Mise en parallèle sécurisée
  • Résistance thermique basse
  • Boîtier sans plomb
  • Diode antiparallèle ultrarapide à recouvrement progressif
  • Diode dans le boîtier à récupération souple et faible tension VF
  • Mise hors tension sans terminaison
Applications
  • Chauffage par induction
  • Fours micro-ondes
  • Convertisseurs résonnants
  • Onduleurs photovoltaïques
  • Sources d'alimentation sans coupure
  • Soudage
  • Correction du facteur de puissance
  • Convertisseurs très haute fréquence
  • Onduleurs
  • Commande de moteurs
 
Référence pièceBoîtier / EnveloppeFiche techniqueTension de saturation collecteur-émetteurCourant collecteur continu à 25 °CPd - Power Dissipation
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  • STMicroelectronics
Publié le: 2013-07-19 | Mis à jour le: 2026-01-12