STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6
Le MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6 STMicroelectronics utilise la technologie MDmesh K6, tirant parti de 20 années d'expérience en matière de technologie de super jonction. Le MOSFET STP80N1K1K6 STMicroelectronics offre une résistance de premier ordre par surface et par charge de grille. Le composant est idéal pour les applications efficaces et de densité haute puissance.
Caractéristiques
- MeilleureRDS(on) x surface du monde
- Meilleur FOM (figure de mérite) au monde
- Charge de grille ultra-faible
- Testé à 100 % en mode avalanche
- Protection par diode Zener
Applications
- Convertisseurs Flyback
- Adaptateurs pour tablettes, ultraportables et AIO
- Éclairage LED
Schéma du circuit d’application
MOSFET associés
STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N
800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.
COMPLÉTEZ VOTRE CONCEPTION
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2024-06-11
| Mis à jour le: 2024-06-25