Texas Instruments Relais statique isolé à 2 canaux TPSI2072-Q1
Le relais à semiconducteurs (SSR) TPSI2072-Q1 de Texas Instruments à 2 canaux et isolé est conçu pour les applications automobiles sous haute tension et pour d'autres applications industrielles. Le TPSI2072-Q1 utilise la technologie d'isolation capacitive à haute fiabilité de TI, en combinaison avec des MOSFET adossé internes, pour former une solution entièrement intégrée ne nécessitant aucune alimentation électrique secondaire. Le TPSI2072-Q1 améliore la fiabilité du système car la technologie d'isolation capacitive de TI ne souffre pas des modes de défaillance liés à l'usure mécanique ou à la photodégradation, courants parmi les composants de relais mécaniques et de relais photo.Le côté primaire du dispositif n'est alimenté que par 9 mA de courant d'entrée et intègre des broches EN1 et EN2 à sécurité intégrée, empêchant toute possibilité de rétroalimentation de l'alimentation sous VDD. Dans la plupart des applications, la broche sous VDD du dispositif doit être connectée à une alimentation de système entre 4,5 et 20 V, tandis que ses broches EN1 et EN2 doivent être alimentées par une sortie de GPIO à logique HI entre 2,1 et 20 V. Les broches VDD, EN1 et EN2 peuvent être pilotées ensemble directement à partir de l'alimentation du système ou d'une sortie de GPIO dans d'autres applications.
Chaque canal du côté secondaire est constitué de MOSFET dos à dos avec une tension d'arrêt de +/-600 V de SM à S1 et SM à S2. La robustesse d'avalanche du MOSFET TPSI2072-Q1 et sa conception de boîtier thermiquement sensible lui permettent de prendre en charge de manière robuste les tests de résistance diélectrique (HiPot) au niveau du système et les courants de surtension de chargeur rapide CC jusqu'à 2 mA sans nécessiter de composants externes.
Caractéristiques
- Qualification pour des applications automobiles
- Classe AEC-Q100 1 (TA = –40 à 125 °C)
- MOSFET intégrés classés avalanche
- Conçu et qualifié pour la fiabilité des tests de tenue diélectrique (Hi-Pot)
- IAVA = 2 mA pour des impulsions de 5 s et 1 mA pour des impulsions de 60 s
- VHIPOT, 5 s = 4 300 V pour Rsérie ≥ 1,83 mΩ
- VHIPOT, 5 s = 2 850 V pour Rsérie ≥ 1,1 mΩ
- Tension de séparation de 600 V
- RON = 65 Ω (TJ = 25 °C)
- IOFF = 1 µA sous 500 V (TJ = 105 °C)
- Conçu et qualifié pour la fiabilité des tests de tenue diélectrique (Hi-Pot)
- Faible courant d'alimentation côté primaire :
- 5 mA monocanal, 9 mA courant d'état ON à deux canaux
- Possibilité de mettre en œuvre une sécurité fonctionnelle
- Documentation disponible pour faciliter la conception des systèmes ISO 26262 et IEC 61508
- Barrière d'isolation robuste
- ≥ 26 années de durée de vie prévue sous 1 000 Vefficaces/ 1 5 00 V de tension continue de fonctionnement
- Indice d'isolation VISO, jusqu'à 3 750 Vefficaces/ 5 300 V enCC
- Boîtier SOIC à 11 broches (DWQ) à broches larges, permettant des performances thermiques améliorées
- Ligne de fuite et jeu ≥ 8 mm (primaire-secondaire)
- Ligne de fuite et jeu ≥ 3 mm (sur les bornes du commutateur)
- Certifications liées à la sécurité
- DIN VDE V 0884-11:2017-01 (Prévu)
- Programme de reconnaissance des composants UL 1577 (Prévu)
Applications
- Relais à semi-conducteurs
- Systèmes hybrides, électriques et groupes motopropulseurs
- Systèmes de gestion de batterie (BMS)
- Systèmes de stockage d’énergie (ESS)
- Énergie solaire
- Chargeur embarqué
- Infrastructure de charge de véhicules électriques
Ressources supplémentaires
Vidéos
Schéma d'application simplifié
