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Toshiba MOSFET à canal N Si (DTMOSIV) TK16x60W

Les MOSFET à canal N Si (DTMOSIV) TK16x60W de Toshiba présentent la conception de puce de génération DTMOSIV et sont proposés en différentes variantes. Les MOSFET à canal N Si disposent d'une faible résistance drain-source à l'état passant et d'un temps de récupération inverse rapide. Ces MOSFET peuvent contrôler facilement la commutation de grille. Les MOSFET TK16x60W sont disponibles en différentes dimensions et sont fournis en boîtiers différents DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220 et TO-220SIS. Ces MOSFET à canal N Si TK16x60W sont utilisés dans les régulateurs de tension de commutation.

Caractéristiques

  • Faible résistance drain-source en fonctionnement de 0,16 Ω à 0,196 Ω RDS(ON) 
  • Commutation de grille facile à contrôler
  • Mode d'amélioration Vth de 2,7 V à 4,5 V

Notes d’application

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Numéro de pièce Fiche technique Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille
TK16G60W5,RVQ TK16G60W5,RVQ Fiche technique 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC
TK16V60W5,LVQ TK16V60W5,LVQ Fiche technique 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC
TK16A60W5,S4VX TK16A60W5,S4VX Fiche technique 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC
TK16E60W,S1VX TK16E60W,S1VX Fiche technique 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC
TK16A60W,S4VX TK16A60W,S4VX Fiche technique
TK16J60W,S1VE TK16J60W,S1VE Fiche technique 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC
TK16N60W,S1VF TK16N60W,S1VF Fiche technique 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC
TK16J60W5,S1VQ TK16J60W5,S1VQ Fiche technique 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC
TK16G60W,RVQ TK16G60W,RVQ Fiche technique 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC
TK16J60W,S1VQ TK16J60W,S1VQ Fiche technique 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC
Publié le: 2020-04-06 | Mis à jour le: 2024-11-11