Toshiba Commutateur de puissance intelligent côté bas TPD2017FN
Le commutateur de puissance Intelligent côté bas TPD2017FN de Toshiba est une matrice de commutateurs à 8 canaux côté bas avec un circuit de verrouillage actif intégré et des MOSFET à canal N, idéaux pour les moteurs, les solénoïdes et les entraînements de lampes. Le TPD2017FN peut être piloté directement à partir d'une circuiterie logique CMOS, TTL ou d'un microcontrôleur pour piloter une charge d'alimentation. Le composant peut fonctionner en mode parallèle et comprend une protection intégrée contre les surchauffes et les surintensités.Le commutateur de puissance Intelligent côté bas TPD2017FN TPD2017FN de Toshiba est proposé en boîtier SSOP30 (300 mil) avec une plage de température de fonctionnement -40 °C à +110 °C.
Caractéristiques
- 8 canaux avec MOSFET à canal N intégrés et circuit de verrouillage actif
- Prend en charge le pilotage direct de la charge d’alimentation
- Protection intégrée contre les surchauffes et les surintensités
- Le composant à 8 canal permet une conception à encombrement réduit
- Prend en charge un fonctionnement à basse tension 2,7 V
- Faible résistance en marche ; 0,55 Ω à VDD = 5 V, IOUT = 0,5 A, Tj = 25 °C (par canal)
- Prend en charge le fonctionnement en parallèle
- Boîtier SSOP30 (300 mil)
Applications
- Contrôleur logique programmable pour utilisation industrielle
- Pilotage de charges résistantes ou inductives
Caractéristiques techniques
- Tension d’alimentation de fonctionnement 2,7 V à 5,5 V (VDD (opr))
- Courant d’alimentation 1,8 mA (IDD (OFF))
- Courant d’alimentation 3,1 mA, toutes les sorties ouvertes (IDD (ON))
- Courant de fuite de sortie (IOL) 10 μA
- Protection standard contre les surintensités (IOC) 1,5 A
- Temps de fonctionnement en cas de surintensité standard 3.0ms (thors service)
- Résistance thermique 70 °C/W (Rth (J-A))
- Détection de surchauffe
- Température +175 °C (tSD)
- Hystérésis +15 °C (ΔTSD)
- Dissipation de puissance 1,8 W (pd)
- Dlage de température de fonctionnement de -40 °C à +110 °C (Topr)
Schéma fonctionnel
Circuit de test
Profil du boîtier
Publié le: 2022-08-19
| Mis à jour le: 2023-07-27
