Toshiba MOSFET automobile 40 V 400 A XPQR3004PB

Le MOSFET 40 V XPQR3004PB de Toshiba présente une RDS(ON) de 0,23 mΩ (standard), une capacité de 400 A et une tension de seuil (Vth) comprise entre 2 V à 3 V. Il offre également unetempérature de fonctionnement maximale de +175 °C et un courant de fuite maximal de 10 µA (VDS = 40 V). Le MOSFET XPQR3004PB de Toshiba est proposé dans un boîtier L-TOGL, qui offre une impédance thermique de 0,2 °C/W et une dissipation de puissance de 750 W. Ce dispositif est certifié AEC-Q101 et est idéal pour les applications automobiles, les régulateurs de tension de commutation, les pilotes de moteur et les convertisseurs CC-CC.

Caractéristiques techniques

  • Qualifié AEC-Q101
  • Courant de drain (CC) 400 A
  • Tension drain-source 40 V
  • Dissipation d'énergie de 750 W
  • Faible résistance drain-source à l'état passant, RDS(on) = 0,23 mΩ standard (VGS = 10 V)
  • Impédance thermique 0,2 °C/W
  • Courant de fuite maximal 10 µA (VDS = 40 V)
  • Mode d'amélioration de 2 V à 3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
  • Énergie d'avalanche à simple impulsion 624 mJ
  • Température de fonctionnement maximale 175 °C
  • Plage de température de stockage de -55 °C à +175 °C

Applications

  • Automobile
  • Régulateurs de tension de commutation
  • Pilotes de moteur
  • Convertisseurs CC/CC

Vidéos

Circuit de test de temps de commutation

Schéma du circuit d'application - Toshiba MOSFET automobile 40 V 400 A XPQR3004PB

Emballage et circuit interne

Circuit de localisation - Toshiba MOSFET automobile 40 V 400 A XPQR3004PB

Dimensions (mm)

Plan mécanique - Toshiba MOSFET automobile 40 V 400 A XPQR3004PB
Publié le: 2023-02-01 | Mis à jour le: 2025-08-06