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Vishay General Semiconductor VxxDL45BP Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers

Vishay General Semiconductor VxxDL45BP Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers for PV Solar Cell Bypass Protection provide low forward voltage drop and low power losses. Vishay VxxDL45BP series is ideal for automated placement due to its very low profile(typical height of 1.7mm). The VxxDL45BP Series meets MSL level 1, per J-STD-020, with a LF maximum peak of +260°C.

Features

  • Up to 40A forward current
  • Up to 580mV forward voltage
  • Up to 240A forward surge current
  • 5mA reverse current

Associated Rectifiers

Vishay General Semiconductor Barrière de Schottky TMBS® Trench MOS

Présente des injections de porteurs minoritaires réduites dans la zone de dérive, réduisant ainsi les charges stockées et améliorant les vitesses de commutation.

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Numéro de pièce Fiche technique Description If - Courant direct Vf - Tension directe Ir - Courant inverse
V40DL45BP-M3/I V40DL45BP-M3/I Fiche technique Diodes et redresseurs Schottky 40A 45V .26V@5A TrenchMOS 40 A 580 mV 5 mA
V30DL45BP-M3/I V30DL45BP-M3/I Fiche technique Diodes et redresseurs Schottky 30A 45V .28V@5A TrenchMOS 30 A 570 mV 3 mA
V20DL45BP-M3/I V20DL45BP-M3/I Fiche technique Diodes et redresseurs Schottky 20A 45V .31V@5A TrenchMOS 20 A 550 mV 2.5 mA
Publié le: 2015-02-11 | Mis à jour le: 2022-03-11