Vishay / Siliconix MOSFET 20 V à canal P Si6423ADQ
Le MOSFET 20 V à canal P Si6423ADQ Vishay/Siliconix est proposé en boîtier TSSOP-8 avec une tension drain-source de -20 V et une énergie d'avalanche à simple impulsion de 20 mJ. Ce MOSFET dispose d'une conception de configuration unique. Il est sans halogène, conforme à la directive RoHS et testé à 100 % Rg et UIS. Le MOSFET 20 V à canal P Si6423ADQ Vishay est conçu pour les commutateurs de charge, les commutateurs de batterie et les applications de gestion d'alimentation.
Caractéristiques
- MOSFET de puissance TrenchFET®
- 100 % testé à Rg et UIS
- Conforme à la directive RoHS
- Sans halogène
- Configuration unique
- Boîtier TSSOP-8
Applications
- Commutateurs de charge
- Interrupteurs de batterie
- Gestion de l'alimentation
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source -20 VDS
- Tension grille-source ±8 V
- Courant de drain pulsé -70 A
- Énergie d'avalanche à impulsion unique -20 mJ
- Capacité d'entrée de 5875 pF
- Capacité de sortie de 540 pF
- Résistance de grille maximale de 7,2 Ω
- Plage de température de fonctionnement : de -55°C à +150°C
MOSFET associés
Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
Publié le: 2020-11-19
| Mis à jour le: 2024-12-16