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Vishay Semiconductors MOSFET de puissance TrenchFET® SI73

Les MOSFET de puissance TrenchFET® SI73 de Vishay Semiconductors sont disponibles en nouveau boîtier PowerPAK® à faible résistance thermique avec un profil 1,07 mm. Les MOSFET de puissance TrenchFET® sont testés 100 % Rg/UIS et sans halogène. Ces MOSFET de puissance SI73 sont idéalement utilisés dans les convertisseurs CC-CC.

Caractéristiques

  • Nouveau boîtier PowerPAK® à faible résistance thermique avec profil 1,07 mm mince
  • Testé Rg/UIS 100 %
  • Sans halogène

Applications

  • Convertisseurs CC/CC

Dimensions du boîtier

Vishay Semiconductors MOSFET de puissance TrenchFET® SI73
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Numéro de pièce Fiche technique Package/Boîte Polarité du transistor Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Pd - Dissipation d’énergie Transconductance directe - min. Temps de descente Temps de montée Délai de désactivation type Délai d'activation standard
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 N-Channel 30 V 30 A 3 mOhms 1 V 36 nC 5.4 W 110 S 32 ns 16 ns 90 ns 24 ns
SI7309DN-T1-GE3 SI7309DN-T1-GE3 Fiche technique PowerPAK-1212-8 P-Channel 60 V 8 A 146 mOhms 3 V 14.5 nC 19.8 W 10 S 35 ns 15 ns 30 ns 25 ns
SI7386DP-T1-GE3 SI7386DP-T1-GE3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 N-Channel 30 V 19 A 7 mOhms 2.5 V 11.5 nC 5 W 50 S 10 ns 9 ns 35 ns 12 ns
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 N-Channel 30 V 30 A 3 mOhms 1 V 36 nC 5.4 W 110 S 32 ns 16 ns 90 ns 24 ns
SI7370DP-T1-GE3 SI7370DP-T1-GE3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 N-Channel 60 V 9.6 A 11 mOhms 4 V 57 nC 5.2 W 50 S 30 ns 12 ns 16 ns 50 ns
SI7370DP-T1-E3 SI7370DP-T1-E3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 N-Channel 60 V 9.6 A 11 mOhms 4 V 57 nC 5.2 W 50 S 30 ns 12 ns 16 ns 50 ns
SI7309DN-T1-E3 SI7309DN-T1-E3 Fiche technique PowerPAK-1212-8 P-Channel 60 V 8 A 146 mOhms 3 V 14.5 nC 19.8 W 10 S 35 ns 15 ns 30 ns 25 ns
SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 N-Channel 30 V 19 A 7 mOhms 2.5 V 11.5 nC 5 W 50 S 10 ns 9 ns 35 ns 12 ns
SI7315DN-T1-GE3 SI7315DN-T1-GE3 Fiche technique PowerPAK-1212-8 P-Channel 150 V 8.9 A 315 mOhms 4 V 19.5 nC 52 W 10 S 8 ns 9 ns 23 ns 8 ns
SI7370ADP-T1-GE3 SI7370ADP-T1-GE3 Fiche technique PowerPAK-1212-8 N-Channel 60 V 50 A 57 mOhms 4 V 8.4 nC 69.4 W 12 S 20 ns 9 ns 40 ns 20 ns
Publié le: 2024-01-08 | Mis à jour le: 2024-01-24