Vishay Semiconductors MOSFET à canal N et P Si7540ADP

Le MOSFET à canal N et P Si7540ADP de Vishay Semiconductors utilise la technologie TrenchFET^®, en utilisant des structures de tranchée gravées dans le matériau du semiconducteur pour améliorer les performances et l'efficacité. Avec un boîtier PowerPAK^® endurci thermiquement, ce MOSFET offre des performances thermiques améliorées et une exploitation fiable dans des conditions de haute puissance. Le MOSFET à canal N et P Si7540ADP est testé 100 % Rg. Ce MOSFET dispose d’une tension drain-source de 20 V et fonctionne dans la plage de température allant de -55 °C à 150 °C. Le MOSFET à canal N et P Si7540ADP est sans Pb, sans halogène et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent les convertisseurs CC-CC, les convertisseurs Buck synchrones, les redresseurs synchrones, les commutateurs de charge et les commutateurs d’entraînement moteur.