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Vishay Semiconductors MOSFET à canal N (D-S) SI78

Les MOSFET à canal N (DS) SI78 de Vishay semiconducteurs sont disponibles dans un nouveau boîtier PowerPAK® à faible résistance thermique avec un profil 1,07 mm bas. Ces MOSFET N-Channel (DS) sont MLI optimisés, 100 % testés Rg, sans halogène et conforme à la directive RoHS. Les MOSFET SI78 sont utilisés dans les convertisseurs CC-CC, les commutateurs côté primaire pour les applications CC-CC et les redresseurs synchrones.

Caractéristiques

  • Nouveau boîtier PowerPAK® à faible résistance thermique avec profil de 1,07 mm
  • 100 % Rg testés
  • Sans halogène
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Convertisseurs CC/CC
  • Commutateurs côté primaire pour applications CC/CC
  • Redresseurs synchrones

Dimensions du boîtier

Vishay Semiconductors MOSFET à canal N (D-S) SI78
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Numéro de pièce Fiche technique Package/Boîte Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Qg - Charge de grille Pd - Dissipation d’énergie Transconductance directe - min. Temps de descente Temps de montée Délai de désactivation type Délai d'activation standard
SI7848BDP-T1-E3 SI7848BDP-T1-E3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 40 V 47 A 9 mOhms 33 nC 36 W 56 S 10 ns 12 ns 25 ns 25 ns
SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-E3 Fiche technique PowerPAK-1212-8 75 V 16 A 37 mOhms 16 nC 52 W 23 S 50 ns 130 ns 35 ns 20 ns
SI7812DN-T1-GE3 SI7812DN-T1-GE3 Fiche technique PowerPAK-1212-8 75 V 16 A 37 mOhms 16 nC 52 W 23 S 50 ns 130 ns 35 ns 20 ns
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 150 V 3 A 85 mOhms 17 nC 1.9 W 15 S 17 ns 10 ns 24 ns 9 ns
SI7846DP-T1-GE3 SI7846DP-T1-GE3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 150 V 24.5 A 50 mOhms 30 nC 1.9 W 18 S 10 ns 7 ns 22 ns 12 ns
SI7806ADN-T1-E3 SI7806ADN-T1-E3 Fiche technique PowerPAK-1212-8 30 V 9 A 11 mOhms 13.2 nC 1.5 W 32 S 10 ns 10 ns 33 ns 13 ns
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 150 V 3 A 85 mOhms 17 nC 1.9 W 15 S 17 ns 10 ns 24 ns 9 ns
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 60 V 12 A 19.5 mOhms 11.1 nC 35.7 W 39 S 10 ns 21 ns 10 ns 7 ns
SI7892BDP-T1-GE3 SI7892BDP-T1-GE3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 30 V 15 A 4.2 mOhms 27 nC 1.8 W 85 S 20 ns 13 ns 62 ns 20 ns
SI7880ADP-T1-E3 SI7880ADP-T1-E3 Fiche technique PowerPAK-SO-8 30 V 40 A 3 mOhms 84 nC 83 W 120 S 30 ns 14 ns 96 ns 20 ns
Publié le: 2024-01-09 | Mis à jour le: 2024-01-24