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Vishay / Siliconix MOSFET 20 V à canal N (D-S) SiA466EDJ

Le MOSFET 20 V à canal N (D-S) SiA466EDJ de Vishay est fourni dans un boîtier SC-70 offrant un encombrement de 2,05 mm x 2,05 mm. Il offre une protection ESD standard de 2 500 V et est testé Rg. Le SiA466EDJ est typiquement utilisé pour les smartphones, l'informatique mobile, les convertisseurs CC-CC, la gestion de l'alimentation et les commutateurs de charge.

Caractéristiques

  • TrenchFET® power MOSFET
  • Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
    • Small footprint area
    • Low on-resistance
  • 2500V (HBM) typical ESD protection 
  • 100% Rg tested

Applications

  • Smartphones and mobile computing
  • DC/DC converters
  • Power management
  • Load switches

Associated MOSFETs

Vishay / Siliconix MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET

Procure une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V.

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Publié le: 2015-03-02 | Mis à jour le: 2022-03-11