Vishay / Siliconix MOSFET 25 V à canal N SiJA22DP
Le MOSFET 25 V à canal N SiJA22DP Vishay/Siliconix est fourni en boîtier PowerPAK SO-8L avec une conception à configuration unique et une TENSION drain-source de 25 VDS. Ce module dispose d'une PUISSANCE TrenchFET® Gen IV, réglée pour le FOM RDS à Qoss le plus faible et est testé à 100% Rg et UIS. Les applications pour MOSFET 25 V à canal N SiJA22DP Vishay sont des redresseurs synchrones, CC-CC à haute densité de puissance, des commutateurs de batterie et de charge et des commutateurs échangeables à chaud.
Caractéristiques
- TrenchFET Gen IV power
- Le rapport Qgd/Qgs <1 optimise les caractéristiques de commutation
- Réglé pour le FOM RDS à Qoss le plus faible
- 100 % testé à Rg et UIS
Applications
- Rectification synchrone
- Haute densité de puissance CC/CC
- Interrupteurs échangeables à chaud et FET OR-ing
- Commutateurs de batterie et de charge
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source 25 VDS
- Courant de drain pulsé 160 A
- Énergie d'avalanche à simple impulsion 125 mJ
- Capacité d'entrée 6 500 pF
- Capacité de sortie 2 250 pF
- Résistance de grille 2 Ω
- Boîtier PowerPAK SO-8L
- Configuration unique
- Plage de température de fonctionnement : de -55°C à +150°C
- Dissipation de puissance 48 W
Dimensions
MOSFET associés
Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
Publié le: 2020-11-19
| Mis à jour le: 2024-12-16