Vishay / Siliconix MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET
Les MOSFET à canal N TrenchFET® gén. IV Vishay Siliconix sont la famille TrenchFET® de dernière génération de MOSFET de puissance canal N de Vishay. Ces nouveaux dispositifs utilisent une nouvelle conception à haute densité et les SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP et SiSA04DN procurent une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V et une charge de grille totale réduite dans les boîtiers PowerPAK® SO-8 et 1212-8. Les caractéristiques comprennent une RDS(on) extrêmement basse, qui se traduit par des pertes par conduction moindres pour une consommation électrique réduite, un rapport Qdg/Qgs très bas de 0,5 ou moins, des boîtiers à encombrement réduit PowerPAK® 1212-8 avec une efficacité similaire dans une taille divisée par 3. Les applications standard comprennent les convertisseurs CC/CC à haute puissance, la rectification synchrone, les convertisseurs Buck synchrones et OU.
The TrenchFET MOSFETs are available in a broad range of power MOSFETs in a wide selection of advanced packages such as -200V to 800V breakdown voltages and down to 1.2V of gate drive voltages. These MOSFETs are optimized with the lowest Rds(on) for load switch applications and the lowest gate charge and capacitances for fast switching. The MOSFETs are differentiated with low/medium voltage TrenchFETs.
The Low Voltage TrenchFET feature high efficiency, increased power density, and come with space-saving packages. These are ideal for consumer electronics, drones, computers, and telecom equipment.
The Medium Voltage TrenchFET feature compact and highly efficient devices that enable layout optimization, reduce component count, and enable the highest efficiency. These are ideal for power supplies, motor drive control, and renewable energy.
Vishay Siliconix SkyFET MOSFETs are also part of the Vishay Siliconix TrenchFET Gen IV Power MOSFETs offering.
Caractéristiques
- RDS(on) at 4.5V option
- Ultra-low RDS(on) of less than 0.001Ω at VGS=10V
- Improved immunity to CdV/dt gate coupling
- Very low Qgd and exceptionally low Qgd/Qgs ratio at <0.5
- Qgd/Qgs ratio down to 0.3
Applications
- Synchronous rectification
- Primary side switches
- DC/DC converters
- Telecom bricks
- PCs
- Servers
- Adapter and charger switches
- Load switches
- Motor drive switches
- Industrial
Infographics
Vidéos
Related MOSFETs
Vishay / Siliconix MOSFET à super-jonction en PowerPAK® 10 x 12
Dotés d'une technologie de puissance, ils optimisent l'efficacité et minimisent les pertes de puissance pendant la conduction.
Vishay MOSFET PowerPAK® 1212
Idéal pour les applications de commutation, dispose d’une résistance à l’état passant d’environ 1 mΩ.
Vishay / Siliconix MOSFET automobiles SQJ
MOSFET® de puissance 40 VDS à canal N TrenchFET Gen IV qualifiés AEC-Q101 dans un boîtier PowerPAK® SO-8L.
Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
Vishay / Siliconix MOSFET automobiles SQJQ
MOSFET de puissance TrenchFET® à canal N homologués AEC-Q101 dans un boîtier simple/double PowerPAK® 8x8L.
Vishay MOSFET Si71
Technologie MOSFET® de puissance TrenchFET Gen III en boîtiers PowerPAK® 1212-8 et PowerPak SO-8 compacts.
Vishay MOSFET Si74
Dispose de la technologie TrenchFET® qui réduit la résistance à l’état passant, assurant fiabilité et performances.
Vishay MOSFET Si77
Dispose de la technologie TrenchFET® Gen III monolithique SkyFET® et de diodes SCHOTTKY intégrées.
Vishay MOSFET Si79
Disposent d’une technologie ThunderFET® avancée pour équilibrer des paramètres tels que RDS (on), Qg, Qsw et Qoss.
Related Solutions
Vishay Industrial Power Solutions
Broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications.