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Vishay MOSFET 150 V (D-S) à canal N SiRS5700DP

Le MOSFET de puissance SiRS5700DP à canal N 150 V (D-S) de Vishay est un MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V avec un facteur de mérite (FOM) RDS x Qg très faible. Le SiRS5700DP de Vishay optimise le rendement énergétique, et le RDS(on) du composant minimise la perte de puissance pendant la conduction, assurant un fonctionnement efficace. Ce MOSFET subit les tests 100 % Rg et UIS, garantissant ainsi sa fiabilité. Le dispositif améliore également la dissipation de puissance et réduit la résistance thermique (RthJC), ce qui en fait un choix idéal pour les applications à haute performance.

Caractéristiques

  • MOSFET de puissance TrenchFET Gen V
  • Facteur de mérite (FOM) RDS x Qg très faible
  • RDS(on) de pointe minimise la perte de puissance par conduction
  • Testé à 100 % Rg et UIS
  • Améliore la dissipation de puissance et réduit la RthJC

Applications

  • Redressement synchrone
  • Convertisseurs CC/CC
  • Joints toriques et interrupteurs permutables à chaud
  • Sources d’alimentation
  • Commande de moteurs
  • Gestion de batteries

Circuit d'application

Schéma du circuit d'application - Vishay MOSFET 150 V (D-S) à canal N SiRS5700DP
Vishay MOSFET 150 V (D-S) à canal N SiRS5700DP
Publié le: 2024-01-19 | Mis à jour le: 2024-11-26